[发明专利]同轴导体结构、电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种同轴导体结构，其特征在于：

所述同轴导体结构包括外表面、内表面以及沟槽，且

所述外表面的轴心以及所述内表面的轴心为同轴，所述外表面与所述内表面相连接，以构成电容的同一电极，

所述沟槽位于所述同轴导体结构内，且所述沟槽的轴心与所述内表面的轴心为同轴。

2.如权利要求1所述的同轴导体结构，其中所述同轴导体结构为介层插塞(via plug)或接触插塞(contact plug)。

3.如权利要求1所述的同轴导体结构，其中所述沟槽的底面垂直于所述内表面。

4.一种电容器，其特征在于，包括：

同轴导体结构，包括外表面、内表面以及沟槽，所述沟槽位于所述同轴导体结构的所述内表面与所述外表面之间，所述外表面的轴心、所述内表面的轴心以及所述沟槽的轴心为同轴，所述同轴导体结构作为第一电极；

第二电极，形成于所述同轴导体结构的所述沟槽内；以及

介电层，介于所述第一电极与所述第二电极之间。

5.如权利要求4所述的电容器，其中所述第二电极凸出于所述沟槽，使所述第二电极的高度大于所述第一电极的高度。

6.如权利要求4所述的电容器，其中所述第一电极与所述第二电极为金属。

7.如权利要求4所述的电容器，其中所述沟槽的底面垂直于所述内表面。

8.一种同轴导体结构的制造方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成绝缘层；

在所述绝缘层内形成开口，所述开口是以连续线形式分布于所述基底上；以及

在所述开口内形成同轴导体结构，其包括外表面以及内表面，且所述外表面的轴心以及所述内表面的轴心为同轴，

其中形成所述开口的方法包括：

在所述绝缘层上依序形成第一材料层、第二材料层、第三材料层、第四材料层以及第五材料层；

在所述第五材料层上形成具有图案化开口的图案化光致抗蚀剂层，并露出所述图案化开口内的部分所述第五材料层；

以所述图案化光致抗蚀剂层为掩模，蚀刻露出的所述第五材料层与其底下的所述第四材料层，直到露出所述图案化开口内的所述第三材料层；

移除所述图案化光致抗蚀剂层；

在所述绝缘层上共形地形成第六材料层，以覆盖所述第五材料层以及所述图案化开口的侧壁与所述第三材料层；

在所述第六材料层上形成第七材料层，并填满所述图案化开口；

回蚀刻所述第七材料层，直到露出所述第六材料层；

以所述第七材料层为掩模，蚀刻露出的所述第六材料层，直到露出所述第五材料层以及所述图案化开口内的所述第四材料层与所述第三材料层，而形成连续线形开口；

移除所述第五材料层；

以所述第四材料层与所述第七材料层为掩模，蚀刻所述连续线形开口内的所述第三材料层，直到露出所述第二材料层；

移除所述第四材料层与所述第七材料层；

以所述第三材料层与所述第六材料层为掩模，蚀刻所述连续线形开口内的所述第二材料层，直到露出所述第一材料层；

以所述第二材料层为掩模，蚀刻所述连续线形开口内的所述第一材料层，直到露出所述绝缘层；

移除所述第二材料层、所述第三材料层与所述第六材料层；以及

以所述第一材料层为掩模，蚀刻所述连续线形开口内的所述绝缘层，以形成所述开口。

9.如权利要求8所述的同轴导体结构的制造方法，其中形成所述开口的方法包括：

在所述绝缘层上形成具有图案化开口的图案化光致抗蚀剂层，并露出部分所述绝缘层；以及

以所述图案化光致抗蚀剂层为掩模，蚀刻露出的所述绝缘层，以形成所述开口。

10.如权利要求9所述的同轴导体结构的制造方法，其中在形成所述开口之后还包括移除所述图案化光致抗蚀剂层。