[发明专利]同轴导体结构、电容器及其制造方法

说明书

本发明公开一种同轴导体结构、电容器及其制造方法，其中该同轴导体结构包括外表面以及内表面，且外表面的轴心以及内表面的轴心为同轴。另提供一种电容器，包括如前所述的同轴导体结构作为第一电极、第二电极以及介电层。第二电极形成于同轴导体结构的沟槽内。介电层，介于第一电极与第二电极之间。

技术领域

本发明涉及一种导体结构、电容器及其制造方法，且特别是涉及一种同轴导体结构、电容器及其制造方法。

背景技术

一般应用于金属氧化物半导体(CMOS)的精密电容可为金属-绝缘-金属(MIM)电容或是多晶硅-绝缘-多晶硅(PIP)电容，而现今半导体产业中，较常选用具有较高效能的金属-绝缘-金属(MIM)电容作为金属氧化物半导体(CMOS)的精密电容。目前为了增加金属-绝缘-金属(MIM)电容的单位面积，存在通过两次曝光显影而制备出双层圆柱状结构的制作工艺方法。

然而，由于上述方法中的第二次曝光制作工艺具有较低的精准度，因此易出现相邻两层圆柱状之间的局部区域缝隙过小的情形，而无法形成高效能的电容。为了避免前述状况，使用上述方法所形成的电容结构需要一定的使用面积。换句话说，无法进一步提升金属-绝缘-金属(MIM)电容的单位面积的效率值。因此，如何在有限的面积中建构一个具有高电容值的电容结构的同时，还能够进一步提升单位面积电容的效率值，已成为本领域研究人员的一大挑战。

发明内容

本发明提供一种同轴导体结构及其制造方法，其能够在有限的面积中建构一个具有高电容值的电容结构的同时，还能够进一步提升单位面积的效率值。

本发明另提供一种电容器及其制造方法，其能够在有限的面积中建构一个具有高电容值的电容结构的同时，还能够进一步提升单位面积的效率值。

本发明的一种同轴导体结构，其中同轴导体结构包括外表面以及内表面，且外表面的轴心以及内表面的轴心为同轴。

在本发明的一实施例中，上述同轴导体结构为介层插塞(via plug)或接触插塞(contact plug)。

在本发明的一实施例中，上述同轴导体结构还包括一沟槽位于同轴导体结构内，且沟槽的轴心与内表面的轴心为同轴。

在本发明的一实施例中，上述沟槽的底面垂直于内表面。

本发明的一种电容器，包括如前所述的同轴导体结构作为第一电极、形成于同轴导体结构的沟槽内的第二电极、以及介于第一电极与第二电极之间的介电层。

在本发明的另一实施例中，上述第二电极凸出于沟槽，使第二电极的高度大于第一电极的高度。

在本发明的另一实施例中，上述第一电极与第二电极为金属。

本发明的一种同轴导体结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底。在基底上形成绝缘层。在绝缘层内形成开口，开口是以连续线形式分布于基底上。于开口内形成同轴导体结构，其包括外表面以及内表面，且外表面的轴心以及内表面的轴心为同轴。

在本发明的又一实施例中，上述形成开口的方法包括于绝缘层上形成具有图案化开口的图案化光致抗蚀剂层，并露出部分绝缘层；以及以图案化光致抗蚀剂层为掩模，蚀刻露出的绝缘层，以形成开口。

在本发明的又一实施例中，上述同轴导体结构的制造方法，其中在形成开口之后还包括移除图案化光致抗蚀剂层。