[发明专利]耦合T线圈在审
申请号: | 201811220764.6 | 申请日: | 2018-10-19 |
公开(公告)号: | CN109951182A | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 李冠昇;乌拉斯·辛格;德龙·崔;曹军;阿夫欣·蒙塔兹 | 申请(专利权)人: | 安华高科技股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175;H03K19/003;H01L27/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 缠绕 耦合 第一层 带宽扩展 方向相反 共模抑制 互连 差模 安置 | ||
1.一种包含耦合T线圈电路的集成电路,所述集成电路包括:
第一层,其包括第一T线圈电路的第一部分及第二T线圈电路的第一部分;及
第二层,其安置在所述第一层的顶部并互连到所述第一层,所述第二层包含所述第一T线圈电路的第二部分及所述第二T线圈电路的第二部分,其中所述第一T线圈电路包括具有第一缠绕方向的一或多个第一线圈,且所述第二T线圈电路包括具有与所述第一缠绕方向相反的第二缠绕方向的一或多个第二线圈。
2.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述第一T线圈电路的等效电路包括连接在所述一或多个第一线圈与接地之间的第一电容器。
3.根据权利要求2所述的集成电路,其中所述第一T线圈电路的所述等效电路包括与所述第一T线圈电路内的所述一或多个第一线圈并联连接的第二电容器。
4.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述第二T线圈电路的等效电路包括连接在所述一或多个第二线圈与接地之间的第一电容器。
5.根据权利要求4所述的集成电路,其中所述第二T线圈电路的所述等效电路包括与所述第二T线圈电路内的所述一或多个第二线圈并联连接的第二电容器。
6.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述第一T线圈电路经配置以产生用于共模信号的第一磁场。
7.根据权利要求6所述的集成电路,其中所述第二T线圈电路经配置以产生用于具有与所述第一磁场相反的方向的用于所述共模信号的第二磁场。
8.根据权利要求7所述的集成电路,其中由所述共模信号产生的所述第一及所述第二磁场具有相同的量值。
9.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述耦合T线圈电路对于共模信号不是电感性的。
10.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述第一T线圈电路经配置以产生用于差模信号的第一磁场。
11.根据权利要求10所述的集成电路,其中所述第二T线圈电路经配置以产生用于所述差模信号的第二磁场。
12.根据权利要求11所述的集成电路,其中由所述差模信号产生的所述第一及所述第二磁场具有相同量值及相同方向。
13.一种用于提供耦合T线圈电路的方法,其包括:
形成包含具有第一线圈缠绕方向的一或多个第一线圈的第一T线圈电路;
形成第二T线圈电路,其包含具有第二线圈缠绕方向的一或多个第二线圈,所述第二线圈缠绕方向与所述第一线圈缠绕方向相反;以及
通过将所述一或多个第一线圈及所述一或多个第二线圈的部分彼此堆叠,将所述第一T线圈电路与所述第二T线圈电路耦合。
14.根据权利要求13所述的方法,其进一步包括:
在集成电路的第一层中形成所述第一T线圈电路的第一部分及所述第二T线圈电路的第一部分;以及
在所述集成电路的第二层中形成所述第一T线圈电路的第二部分及所述第二T线圈电路的第二部分,其中所述第一层在所述第二层的顶部。
15.根据权利要求13所述的方法,其中所述第一T线圈电路经配置以产生用于共模信号的第一磁场。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述第二T线圈电路经配置以产生用于所述共模信号的第二磁场。
17.根据权利要求16所述的方法,其中由所述共模信号产生的所述第一及所述第二磁场具有相同量值及相反的方向。
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