[发明专利]耦合T线圈

说明书

本文揭示的系统及方法提供用于差模带宽扩展及共模抑制的耦合T线圈电路。所述耦合T线圈电路包含：第一层，其包含第一T线圈电路的至少第一部分及第二T线圈电路的第一部分；以及第二层，其安置在所述第一层的顶部上并互连到所述第一层，所述第二层包含所述第一T线圈电路的至少第二部分及所述第二T线圈电路的第二部分。所述第一T线圈电路包含具有第一缠绕方向的一或多个第一线圈。所述第二T线圈电路包括具有第二缠绕方向的一或多个第二线圈。所述第一缠绕方向可与所述第二缠绕方向相反。

技术领域

本发明大体上涉及用于宽带信号处理的系统及方法。更特定来说，本发明涉及利用耦合T线圈实现差模带宽扩展及共模稳定性的系统及方法。

背景技术

宽带缓冲器、放大器及均衡器广泛用于从高速串行器/解串器(SerDes)到高速模/数转换器(ADC)的高速信号处理系统中。例如并联峰化、串联峰化及T线圈的电感峰化技术用于扩展这些缓冲器的带宽。在这些技术当中，已知T线圈提供最大的带宽扩展，但使用T线圈会遇到可能影响性能的若干问题。

发明内容

一方面，本发明提供一种包含耦合T线圈电路的集成电路，所述集成电路包括：第一层，其包括第一T线圈电路的第一部分及第二T线圈电路的第一部分；及第二层，其安置在所述第一层的顶部并互连到所述第一层，所述第二层包含所述第一T线圈电路的第二部分及所述第二T线圈电路的第二部分，其中所述第一T线圈电路包括具有第一缠绕方向的一或多个第一线圈，且所述第二T线圈电路包括具有与所述第一缠绕方向相反的第二缠绕方向的一或多个第二线圈。

另一方面，本发明提供一种用于提供耦合T线圈电路的方法，其包括：形成包含具有第一线圈缠绕方向的一或多个第一线圈的第一T线圈电路；形成第二T线圈电路，其包含具有第二线圈缠绕方向的一或多个第二线圈，所述第二线圈缠绕方向与所述第一线圈缠绕方向相反；以及通过将所述一或多个第一线圈及所述一或多个第二线圈的部分彼此堆叠，将所述第一T线圈电路与所述第二T线圈电路耦合。

附图说明

通过参考结合附图的详细描述，本发明的各种目的、方面、特征及优点将变得更加明显及更好理解，其中相似参考字符始终表示对应元件。在图中，相似参考数字通常指示相同的、功能相似的及/或结构相似的元件。

图1A描绘根据说明性实施例的利用一或多个耦合T线圈电路的信号放大系统的图；

图1B描绘根据说明性实施例的耦合T线圈电路的等效电路示意图；

图2描绘根据说明性实施例的耦合T线圈电路的图；

图3描绘根据说明性实施例的耦合T线圈集成电路的图；

图4描绘根据说明性实施例的提供耦合T线圈以扩展差模带宽并改进共模稳定性及共模抑制的过程的流程图。

在附图及以下描述中阐述方法及系统的各种实施例的细节。

具体实施方式

在转向详细说明实例实施例的图式之前，应理解，本申请案不限于描述中阐述或图式中说明的细节或方法。还应理解，术语仅用于描述的目的且不应视为限制。

已经使用T线圈来扩展带宽，但仅以单端方式。因此，通常在差分对中使用两个独立T线圈来处理差分信号。然而，两个独立T形线圈通常占用大面积并增加成本。此外，利用两个独立T线圈的宽带放大器可能由于电感负载及不良反向隔离而具有稳定性问题。通过向T线圈电路施加中和电容器可改进T线圈的差模的稳定性问题，但此中和电容器增加(例如，使加倍)T线圈的共模中的不稳定性。通过使用共源共栅可改进稳定性，这提供更好的反向隔离，但使用共源共栅需要更大的电压余量，并且不适合具有低供应电压的缩放互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺。