[发明专利]一种半导体器件剥离方法有效
申请号: | 201811221504.0 | 申请日: | 2018-10-19 |
公开(公告)号: | CN111081827B | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 郭恩卿;邢汝博;黄秀颀;李旭娜;张宇;李晓伟;韦冬;郭凯;朱正勇 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 孟潭 |
地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 剥离 方法 | ||
1.一种剥离半导体器件的方法,其特征在于,包括:
在多个半导体器件的第一表面设置连接层,其中,所述多个半导体器件中的每一个具有与所述第一表面相对的第二表面,所述半导体器件通过所述第二表面固定在衬底上,所述连接层具有通孔,所述连接层包括桥连电极层,所述桥连电极层包括与所述多个半导体器件对应的多个连接部分以及所述多个连接部分中相邻连接部分之间的桥接部分,所述通孔由四个连接部分和四个桥接部分围成;
使腐蚀介质通过所述通孔进入所述多个半导体器件之间的空隙进而到达所述第二表面的周围,以对所述第二表面进行腐蚀而使得所述多个半导体器件与所述衬底剥离,
其中,所述腐蚀介质包括各向异性腐蚀介质,所述各向异性腐蚀介质不会腐蚀所述半导体器件中远离所述第二表面的半导体材料。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述半导体器件在连接层上的投影为正方形。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述各向异性腐蚀介质包括:氢氧化钾、氢氧化钠或磷酸。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
在对所述第二表面进行腐蚀的过程中,对所述第二表面施加超声波震动。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述多个半导体器件与所述连接层分别通过多个电极连接。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的方法,其特征在于,所述半导体器件包括氮化镓半导体器件,所述衬底包括蓝宝石衬底。
7.根据权利要求1至5中的任意一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述半导体器件与所述衬底剥离前,将所述连接层固定在支撑基板上,其中,所述支撑基板包括临时支撑基板、被动阵列式显示屏驱动背板或主动阵列式显示屏驱动背板。
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