[发明专利]一种半导体器件剥离方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件剥离方法。该方法包括：在多个半导体器件的第一表面设置连接层，其中，多个半导体器件中的每一个具有与第一表面相对的第二表面，半导体器件通过第二表面固定在衬底上；使腐蚀介质通过多个半导体器件中相邻半导体器件之间的空隙到达第二表面的周围，以对第二表面进行腐蚀而使得多个半导体器件与衬底剥离，从而不必破坏衬底即可将半导体器件与衬底分离，并且与激光剥离蓝宝石衬底的技术相比，耗时较短，效率较高，流程简单，降低了半导体器件的制作成本。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件剥离方法。

背景技术

近年来Micro LED(微发光二极管)显示技术已成为研究热点，但目前Micro LED显示面临的最大难点是如何实现巨量转移，也就是将蓝宝石衬底上数量巨大的微米级尺度的LED(发光二极管)器件转移到显示驱动背板之上。因此分离蓝宝石衬底是制作微米级尺度的Micro LED关键的工艺之一，其中激光剥离、化学剥离、机械磨抛，都是剥离蓝宝石衬底的手段，其中激光剥离的应用相对较为广泛，但是，采用激光剥离蓝宝石衬底的技术有耗时相对较长，激光剥离系统成本高的问题。

因此亟待一种能够高效地将LED从大面积蓝宝石衬底上剥离的方法。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种半导体器件剥离方法，能够高效地将半导体器件从大面积衬底上剥离。

本发明的一个方面提供一种剥离半导体器件的方法，包括：在多个半导体器件的第一表面设置连接层，其中，多个半导体器件中的每一个具有与第一表面相对的第二表面，半导体器件通过第二表面固定在衬底上；使腐蚀介质通过多个半导体器件中相邻半导体器件之间的空隙到达第二表面的周围，以对第二表面进行腐蚀而使得多个半导体器件与衬底剥离。

在本发明中，连接层具有通孔，方法还包括：使腐蚀介质通过通孔进入多个半导体器件之间的空隙。

在本发明的一个实施例中，连接层包括桥连电极层，桥连电极层包括与多个半导体器件对应的多个连接部分以及多个连接部分中相邻连接部分之间的桥接部分。

在本发明的一个实施例中，半导体器件为正方形，每个通孔由四个连接部分和四桥接部分围成。

在本发明的一个实施例中，腐蚀介质包括各向异性腐蚀介质。

在本发明的一个实施例中，各向异性腐蚀介质包括：氢氧化钾、氢氧化钠或磷酸。

在本发明的一个实施例中，还包括：在对第二表面进行腐蚀的过程中，对第二表面施加超声波震动。

在本发明的一个实施例中，多个半导体器件与连接层分别通过多个电极连接。

在本发明的一个实施例中，半导体器件包括氮化镓半导体器件，衬底包括蓝宝石衬底。

在本发明的一个实施例中，还包括：在半导体器件与衬底剥离前，将连接层固定在支撑基板上，其中，支撑基板包括临时支撑基板、被动阵列式显示屏驱动背板或主动阵列式显示屏驱动背板。

根据本发明实施例提供的技术方案，通过在多个半导体器件的第一表面设置连接层，将半导体器件通过其第二表面固定在衬底上，并使腐蚀介质通过多个半导体器件中相邻半导体器件之间的空隙到达第二表面的周围，以对第二表面进行腐蚀而使得多个半导体器件与衬底剥离，从而不必破坏衬底即可将半导体器件与衬底分离，可以实现衬底的重复使用，并且与激光剥离蓝宝石衬底的技术相比，耗时较短，效率较高，流程简单，降低了半导体器件的制作成本。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。