[发明专利]半导体装置及为其的多个组件提供栅极结构的方法

权利要求书

1.一种为半导体装置的多个组件提供栅极结构的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供硅酸盐层；

在所述硅酸盐层上提供高介电常数层；

在所述高介电常数层上提供逸出功金属层；

在所述提供所述高介电常数层的步骤之后，执行低温退火；以及

在所述逸出功金属层上提供接触金属层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个组件的第一部分具有第一厚度的所述硅酸盐层，且其中所述多个组件的第二部分具有第二厚度的所述硅酸盐层，所述第二厚度不同于所述第一厚度，所述提供所述硅酸盐层的步骤还包括：

在所述多个组件的至少所述第一部分及所述第二部分上沉积第一硅酸盐层；

从所述多个组件的所述第一部分移除所述第一硅酸盐层的至少一部分；以及

在所述多个组件的所述第一部分及所述第二部分上提供第二硅酸盐层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一厚度及所述第二厚度各自小于2纳米。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一厚度及所述第二厚度各自不大于1纳米且至少0.1纳米。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一硅酸盐层及所述第二硅酸盐层中的每一者包含以下中的至少一者：LuSiOx，YSiOx，LaSiOx，BaSiOx，SrSiOx，AlSiOx，TiSiOx，HfSiOx，ZrSiOx，TaSiOx，ScSiOx，MgSiOx，LuSiOx，YSiOx，LaSiOx，BaSiOx，SrSiOx，AlSiOx，TiSiOx，HfSiOx，ZrSiOx，TaSiOx，ScSiOx及MgSiOx。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述多个组件的第三部分具有第三厚度的所述硅酸盐层，所述第三厚度不同于所述第一厚度且不同于所述第二厚度，所述提供所述硅酸盐层的步骤还包括：

在所述多个组件的至少所述第一部分、所述第二部分及所述第三部分上沉积第三硅酸盐层；以及

从所述多个组件的所述第一部分及所述第二部分移除所述第三硅酸盐层的至少一部分，

其中所述沉积所述第一硅酸盐层的步骤包括在所述多个组件的所述第三部分上沉积所述第一硅酸盐层，

其中所述从所述多个组件的所述第一部分移除所述第一硅酸盐层的所述至少一部分的步骤被执行成使所述第一硅酸盐层余留在所述多个组件的所述第三部分上，且

其中所述在所述多个组件的所述第一部分及所述第二部分上提供所述第二硅酸盐层的步骤还在所述多个组件的所述第三部分上提供所述第二硅酸盐层。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述提供所述接触金属层的步骤之前且在所述执行所述低温退火的步骤之前，在所述逸出功金属层上提供活性金属层，所述执行所述低温退火的步骤是在所述提供所述接触金属层的步骤之前执行；以及

在所述执行所述低温退火的步骤之后且在所述提供所述接触金属层的步骤之前，移除所述活性金属层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述活性金属层包含Si、Ti、Zr、Hf及La中的至少一者，所述活性金属层具有不大于4纳米的厚度。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述低温退火期间，所述活性金属层驻留在所述多个组件的仅一部分上，所述提供所述活性金属层的步骤包括：

沉积包含期望的活性金属的层；以及

移除所述层的一部分，以使所述活性金属层余留在所述多个组件的所述一部分上。

10.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述逸出功金属层包含TiN、TaN、TiSiN、TiTaN、WN及TiTaSiN中的至少一者，所述逸出功金属层具有不大于3纳米的厚度。