[发明专利]半导体装置设备及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置设备，其包括：

封装，其包含：

共同栅极导体，

第一半导体裸片，其具有裸片栅极导体，及

第二半导体裸片，其具有裸片栅极导体；及

第一导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第一半导体裸片的所述裸片栅极导体之间；及

第二导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第二半导体裸片的所述裸片栅极导体之间；

所述第一导电路径具有大体上等于所述第二导电路径的长度的长度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置设备，其中所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片沿着相同平面对准且经电耦合到引线框，所述共同栅极导体包含在所述引线框中。

3.根据权利要求1所述的半导体装置设备，其中所述第一半导体裸片的所述裸片栅极导体相对于所述共同栅极导体定向，使得最小化所述第一导电路径的长度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置设备，其中所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片沿着相同平面对准，所述第一半导体裸片具有平行于所述第二半导体裸片的边缘的边缘。

5.根据权利要求1所述的半导体装置设备，其中所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片沿着相同平面对准，所述第一半导体裸片具有不平行于且不垂直于所述第二半导体裸片的边缘的边缘。

6.根据权利要求1所述的半导体装置设备，其进一步包括：

多个半导体裸片，其包含所述第一半导体裸片、所述第二半导体裸片和具有裸片栅极导体的第三半导体裸片，

所述共同栅极导体居于所述多个半导体裸片的所述裸片栅极导体之间的中心。

7.根据权利要求1所述的半导体装置设备，其中所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片沿着相同平面对准，

所述半导体装置设备进一步包括：

多个二极管，其沿着相同平面对准且沿着包含所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片的所述封装外侧的周边安置。

8.根据权利要求1的半导体装置设备，其中所述封装为第一封装，

所述半导体装置设备进一步包括，

第二封装，其包含栅极流道，所述栅极流道经界定在包含电介质层和金属层的衬底的所述金属层内，所述第一封装经安置在所述第二封装内，所述栅极流道经导电耦合到包含在所述第一封装中的所述共同栅极导体，使得所述栅极流道中的位置与所述第一半导体裸片的所述裸片栅极导体之间的导电路径具有与所述栅极流道中的所述位置与所述第二半导体裸片的所述裸片栅极导体之间的导电路径大体上相同的长度。

9.一种设备，其包括：

第一封装，其包含栅极金属流道；

第二封装，其经安置在所述第一封装中且包含：

第一碳化硅裸片，其具有栅极导体，及

第二碳化硅裸片，其具有栅极导体；及

第一导电路径，其在所述栅极金属流道与所述第一碳化硅裸片的所述栅极导体之间；及

第二导电路径，其在所述栅极金属流道与所述第二碳化硅裸片的所述栅极导体之间，

所述第一导电路径具有大体上等于所述第二导电路径的长度的长度。

10.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括：

多个碳化硅裸片，其包含所述第一碳化硅裸片、所述第二碳化硅裸片和具有栅极导体的第三碳化硅裸片，

引线框、所述第一碳化硅裸片、所述第二碳化硅裸片和所述第三碳化硅裸片经电耦合到引线框，所述栅极金属流道使用通孔电耦合到所述引线框，

所述通孔居于所述多个碳化硅裸片的所述裸片栅极导体之间的中心。