[发明专利]半导体装置设备及其形成方法

说明书

本申请涉及半导体装置设备及其形成方法。在一般方面中，一种半导体装置设备可包含：封装，其包含共同栅极导体；第一碳化硅裸片，其具有裸片栅极导体；及第二碳化硅裸片，其具有裸片栅极导体。所述设备可包含：第一导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第一碳化硅裸片的所述裸片栅极导体之间；及第二导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第二碳化硅裸片的所述裸片栅极导体之间，其中所述第一导电路径具有大体上等于所述第二导电路径的长度的长度。

技术领域

本发明涉及包含半导体装置的封装，例如经封装的半导体装置设备。

背景技术

随着电子器件领域向更小的尺寸、更高的效率和更低的成本发展，在包含功率管理空间的各种空间中制造更小、更智能且更有效的产品非常需要集成技术。最高性能的装置(例如功率装置)通常被离散地制造，而不是集成在集成电路(IC)工艺中。生产此类离散装置的成本可为使用此类复杂工艺生产的装置的一小部分，因为离散装置中使用的掩模层一般是更复杂的IC工艺中使用的掩模层的数量的一小部分(例如，一半、三分之一)。许多已知方法已经使用例如引线框封装和铜夹片来实现集成，但此类封装的缺点是成本更高、热性能较差、电感更高、尺寸更大且集成度通常更低。因此，需要解决本技术的缺点并提供其它新颖且具创造性特征的系统、方法和设备。

发明内容

在一般方面中，一种设备可包含：封装，其包含共同栅极导体；第一半导体裸片，其具有裸片栅极导体；及第二半导体裸片，其具有裸片栅极导体。所述设备可包含：第一导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第一半导体裸片的所述裸片栅极导体之间；及第二导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第二半导体裸片的所述裸片栅极导体之间，其中所述第一导电路径具有大体上等于所述第二导电路径的长度的长度。

附图说明

图1A是说明包含安置在封装内的封装的模块的侧部横截面视图的图。

图1B是图1A中展示的模块的仰视图。

图2A到2D是说明内封装的组件的各种平面图的图。

图2E是说明复合堆叠中的图2A到2D中展示的组件的平面图的图。

图3A到3D是说明内封装的变型的组件的各种平面图的图。

图3E是说明复合堆叠中的图3A到3D中展示的组件的平面图的图。

图4A到4L是说明内封装的变型的组件的各种平面图的图。

图5A是说明内封装的组件的平面图的图。

图5B是说明图5A中展示的内封装的组件的变型的平面图的图。

图5C是说明图5A中展示的内封装的组件的变型的平面图的图。

图5D是说明图5B中展示的内封装的组件的变型的平面图的图。

图5E是说明图5B中展示的内封装的组件的变型的平面图的图。

图6到8是说明包含安置在封装内的封装的模块的组件的侧部横截面视图的图。

图9A到9D说明制造本文描述的内封装的至少一部分的方法。

图10A到10D说明图9A到9D中展示的制造方法的变型。

图11说明制造包含在模块内的内封装的方法。

图12是说明可使用本文描述的模块实施的电路配置的图。

图13A到13D是说明模块的各种视图的图。

图14A和14B是说明模块的变型的各种视图的图。

图15A到15G是说明模块的各种视图和组件的图。