[发明专利]一种细晶粒碳化硅包覆层的制备方法

权利要求书

1.一种细晶粒碳化硅包覆层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，提供基底；

S2，在流化床化学气相沉积装置中，将温度设定为1150-1250℃，通入甲基三氯硅烷蒸汽，载带气体为氢气与氩气混合气，得到包覆在基底上的碳化硅层，其中，氢气在载带气体中的体积分数占比为12％-18％；

S3，在氩气环境和1400-1600℃下高温退火，得到致密的细晶粒碳化硅包覆层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

S11a，提供燃料核芯；

S12a，在流化床化学气相沉积装置中，在燃料核芯上包覆疏松热解炭层；

S13a，在流化床化学气相沉积装置中，在疏松热解炭层上包覆内致密热解碳层以提供基底。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，该燃料核芯为UO₂。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S12a中，将温度设定为1450℃，通入反应气体乙炔，得到包覆在燃料核芯上的疏松热解碳层。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S13a中，将温度设定为1260℃，通入丙烯与氩气的混合气体，得到包覆在疏松热解碳层上的内致密热解碳层。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2还包括：在流化床化学气相沉积装置中，在碳化硅层上包覆外致密热解碳层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2中，将温度设定为1260℃，通入丙烯与氩气的混合气体，得到包覆在碳化硅层上的外致密热解碳层。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

S11b，提供衬底；

S12b，对衬底表面进行研磨抛光以提供基底。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为石墨。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2中，氢气流量为1.2-1.5L/min，氩气流量为8.5-8.8L/min。