[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

处理部，其使基板浸在包含磷酸和含硅化合物的处理液中来进行蚀刻处理；以及

控制部，其以如下方式控制处理液，该方式是：在所述蚀刻处理的第一处理时间，利用第一磷酸浓度及第一硅浓度的所述处理液对所述基板进行处理，在所述第一处理时间之后的第二处理时间，利用比所述第一磷酸浓度低的第二规定磷酸浓度及比所述第一硅浓度低的第二规定硅浓度的处理液或者所述第二规定磷酸浓度及所述第一硅浓度的所述处理液对所述基板进行处理。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述控制部以如下方式控制所述处理液，该方式是：在所述第一处理时间，利用第一温度的所述处理液对所述基板进行处理，在所述第二处理时间，利用比所述第一温度低的第二温度的所述处理液对所述基板进行处理。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一温度和所述第二温度为使所述处理液成为规定的沸腾状态的温度。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述控制部基于预先设定的信息将所述处理液的一部分排出，并且新供给液体。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述控制部基于所述处理液的硅浓度将所述处理液的一部分排出，并且新供给液体。

6.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述控制部在从开始所述蚀刻处理起的规定期间内，将磷酸浓度维持为用于蚀刻所述基板的氧化硅膜的规定浓度以上。

7.一种基板处理方法，其特征在于，包括以下工序：

在使基板浸在包含磷酸和含硅化合物的处理液中来进行蚀刻处理时，在所述蚀刻处理的第一处理时间，利用第一磷酸浓度及第一硅浓度的所述处理液对所述基板进行处理；以及

在所述第一处理时间之后的第二处理时间，利用比所述第一磷酸浓度低的第二规定磷酸浓度及比所述第一硅浓度低的第二规定硅浓度的所述处理液或者所述第二规定磷酸浓度及所述第一硅浓度的所述处理液对所述基板进行处理。

8.一种存储介质，存储有使计算机执行根据权利要求7所述的基板处理方法的程序。