[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质在审

申请号：	201811222568.2	申请日：	2018-10-19
公开（公告）号：	CN109686681A	公开（公告）日：	2019-04-26
发明（设计）人：	大野宏树;稻田尊士;河野央	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67;H01L21/66
代理公司：	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277	代理人：	刘新宇
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	磷酸处理液基板处理装置存储介质基板处理蚀刻处理对基板含硅化合物析出处理液中方式控制硅氧化物基板
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【说明书】：

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备处理部和控制部。处理部使基板浸在包含磷酸和含硅化合物的处理液中来进行蚀刻处理。控制部以如下方式控制处理液，该方式是：在蚀刻处理的第一处理时间，利用第一磷酸浓度及第一硅浓度的处理液对基板进行处理，在第一处理时间之后的第二处理时间，利用比第一磷酸浓度低的第二规定磷酸浓度及比第一硅浓度低的第二规定硅浓度的处理液或者第二规定磷酸浓度及第一硅浓度的处理液对基板进行处理。

技术领域

公开的实施方式涉及一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。

背景技术

以往，已知在基板处理装置中进行如下的蚀刻处理：将基板浸在磷酸处理液中，由此对形成在基板上的氮化硅膜(SiN)和氧化硅膜(SiO₂)中的氮化硅膜选择性地进行蚀刻(参照专利文献1)。

为了选择性地蚀刻氮化硅膜，期望提高蚀刻处理的后半的氮化硅膜相对于氧化硅膜的蚀刻速率的比、即选择比。

专利文献1：日本特开2013-232593号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述基板处理装置中，随着蚀刻处理的进行而从基板溶出硅成分，因此存在硅氧化物(SiO₂)析出到硅氧化膜上的风险。

实施方式的一个方式的目的在于提供一种抑制硅氧化物的析出并且提高选择比来进行高精度的蚀刻处理的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。

用于解决问题的方案

实施方式的一个方式所涉及的基板处理装置具备处理部和控制部。处理部使基板浸在包含磷酸和含硅化合物的处理液中来进行蚀刻处理。控制部以如下方式控制处理液，该方式是：在蚀刻处理的第一处理时间，利用第一磷酸浓度及第一硅浓度的处理液对基板进行处理，在第一处理时间之后的第二处理时间，利用比第一磷酸浓度低的第二规定磷酸浓度及比第一硅浓度低的第二规定硅浓度的处理液或者第二规定磷酸浓度及第一硅浓度的处理液对基板进行处理。

发明的效果

根据实施方式的一个方式，能够抑制硅氧化物的析出，并且能够提高选择比来进行精度高的蚀刻处理。

附图说明

图1是基板处理装置的概要俯视图。

图2是表示实施方式所涉及的蚀刻用的处理槽的结构的概要框图。

图3A是表示进行蚀刻处理之前的基板的截面的概要图。

图3B是表示蚀刻处理进展后的基板的状态的概要图。

图3C是表示蚀刻处理结束后的基板的状态的概要图。

图4是说明蚀刻处理的磷酸浓度控制的流程图。

图5是说明蚀刻处理的温度控制的流程图。

图6是说明蚀刻处理的硅浓度控制的流程图。

图7是表示蚀刻液的温度与硅饱和量之间的关系的对应图。