[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201811222930.6 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN110911387B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 周冠宏;任柏璋;蔡明衡 | 申请（专利权）人： | 瑞鼎科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司 11234 | 代理人： | 宋义兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
一基板，具有一第一表面及一第二表面，并且该第一表面与该第二表面彼此相对；
一井区，形成于该基板内，该基板与该井区分别具有一第一导电型与一第二导电型；
一氧化层，形成于该井区内；
一栅极，形成于该第一表面上方并具有一第一开口；以及
一彼此共用的源极/漏极，靠近该第一表面形成于该氧化层内，且露出于该第一开口，该彼此共用的源极/漏极具有该第一导电型。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一导电型为P型导电型且该第二导电型为N型导电型。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该基板形成有保护环环绕于该井区的外侧。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含：
一第一接点，电性连接该栅极；以及
一第二接点，电性连接该彼此共用的源极/漏极。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含：
一多晶硅层，形成于该第一表面上方且位于该栅极下方。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该多晶硅层的面积大于该栅极的面积。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该多晶硅层具有一第二开口，该第二开口位于该第一开口下方且该第二开口小于该第一开口。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，具有该第一导电型的该基板与该彼此共用的源极/漏极区内均包含有第一导电型掺杂物。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，该彼此共用的源极/漏极区内的该第一导电型掺杂物的浓度高于该基板内的该第一导电型掺杂物的浓度。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，具有该第二导电型的该井区内包含有第二导电型掺杂物。
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