[发明专利]半导体装置

说明书

本发明公开了一种半导体装置。半导体装置包含基板、井区、氧化层、栅极及彼此共用的源极/漏极。基板具有第一表面及第二表面，并且第一表面与第二表面彼此相对。井区形成于基板内。基板与井区分别具有第一导电型与第二导电型。氧化层形成于井区内。栅极形成于第一表面上方并具有第一开口。彼此共用的源极/漏极靠近第一表面形成于氧化层内，且露出于第一开口。彼此共用的源极/漏极具有第一导电型。

技术领域

本发明与半导体装置有关，特别是关于一种能够在整体面积相同的情况下增加电容有效面积及有效电容值的半导体装置。

背景技术

一般而言，显示装置中的源极驱动器通常会采用如图1所示的运算放大器(Operational amplifier)OP来驱动液晶显示面板的电阻-电容负载(RC loading)。

运算放大器OP可包含彼此串接的输入级(Input stage)IS与输出级(Outputstage)OS。为了维持统的稳定度，运算放大器OP的输出级OS通常需要设置有补偿电容，例如图2中的输出级OS是以金氧半电容(Metal-Oxide-Semiconductor capacitor)MOS作为补偿电容。

如图3A及图3B所示，于一般的运算放大器OP中的金氧半电容MOS的布局方式中，P型基板PS需形成有N型井NW的保护环(Guard ring)GR。在布局设计时，除了需考量N型井NW能够符合设计规范验证(Design Rule Check,DRC)之外，还需考量金氧半电容MOS的有效面积(例如有效宽度与有效长度的乘积)的电容特性，因而使得作为补偿电容的金氧半电容MOS实际上所能提供的补偿电容值并不高，导致系统的稳定度不佳，亟待克服。

发明内容

因此，本发明提出一种能够在整体面积相同的情况下增加电容有效面积及有效电容值的半导体装置，以解决现有技术中所遭遇的问题。

根据本发明的一较佳具体实施例为一种半导体装置。于此实施例中，半导体装置包含基板、井区、氧化层、栅极及彼此共用的源极/漏极。基板具有第一表面及第二表面，并且第一表面与第二表面彼此相对。井区形成于基板内。基板与井区分别具有第一导电型与第二导电型。氧化层形成于井区内。栅极形成于第一表面上方并具有第一开口。彼此共用的源极/漏极靠近第一表面形成于氧化层内，且露出于第一开口。彼此共用的源极/漏极具有第一导电型。

于一实施例中，第一导电型为P型导电型且第二导电型为N型导电型。

于一实施例中，基板形成有保护环(Guard ring)环绕于井区的外侧。

于一实施例中，半导体装置更包含第一接点及第二接点。第一接点电性连接栅极。第二接点电性连接源极/漏极。

于一实施例中，半导体装置更包含多晶硅层，其形成于第一表面上方且位于栅极下方。

于一实施例中，多晶硅层的面积大于栅极的面积。

于一实施例中，多晶硅层具有第二开口。第二开口位于第一开口下方且第二开口小于第一开口。

于一实施例中，具有第一导电型的基板与彼此共用的源极/漏极区内均包含有第一导电型掺杂物。

于一实施例中，彼此共用的源极/漏极区内的第一导电型掺杂物的浓度高于基板内的第一导电型掺杂物的浓度。

于一实施例中，具有第二导电型的井区内包含有第二导电型掺杂物。

相较于现有技术，根据本发明的半导体装置可以是应用于运算放大器中的金氧半电容，在整体面积不变的情况下，其可通过增大多晶硅层的面积以及彼此共用的源极/漏极来增加电容有效面积及有效电容值，故能提供较高的补偿电容值以提升系统的稳定度，由以改善现有技术中由于实际补偿电容值不高所导致系统的稳定度不佳的缺点。

关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及所附附图得到进一步的了解。