[发明专利]半导体芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体芯片，其特征在于，包括：

基板；

晶体管，形成在所述基板上，并包括：

绝缘层；以及

多个鳍片，所述多个鳍片中的每个包括基部和与所述基部连接的凸起，其中所述凸起相对于所述基部的上表面凸出，并具有相对于所述基部的上表面凹陷的凹槽，每个鳍片的凸起的凹槽所处的底部的宽度大于所述凸起的上表面的宽度；

所述多个鳍片包括多个边缘鳍片和位于所述边缘鳍片之间的内部鳍片；每个边缘鳍片的凸起具有相对于相应的边缘鳍片的基部的上表面凹陷的凹槽。

2.如权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述凹槽具有弯曲的底表面。

3.如权利要求2所述的半导体芯片，其特征在于，所述凹槽还具有侧表面，所述侧表面连接所述弯曲的底表面与所述基部的上表面并且垂直于所述基部的上表面。

4.如权利要求2所述的半导体芯片，其特征在于，所述弯曲的底表面直接延伸到所述基部的上表面。

5.如权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，每个鳍片的凸起具有上表面，并且每个鳍片的所述凸起的上表面的宽度相等。

6.如权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述晶体管为多个，所述多个晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，其中所述第一晶体管的鳍片的数量为一个，所述第二晶体管的鳍片的数量为多个，所述第一晶体管的鳍片的凸起的上表面的宽度与第二晶体管的每个鳍片的凸起的上表面的宽度相等。

7.如权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片还包括另一晶体管，所述另一晶体管包括一个鳍片，所述一个鳍片的凸起的上表面的宽度与所述多个鳍片的凸起的上表面的宽度不相等。

8.一种半导体芯片，其特征在于，包括：

基板；

晶体管，形成在所述基板上，并包括：

绝缘层；以及

多个鳍片，每个鳍片包括基部和与相应的基部连接的凸起，其中所述凸起相对于所述基部和所述绝缘层凸出，每个凸起具有上表面，并且每个凸起的上表面的宽度相等，每个鳍片的凸起的凹槽所处的底部的宽度大于所述凸起的上表面的宽度；

所述多个鳍片包括多个边缘鳍片和位于所述边缘鳍片之间的内部鳍片；每个边缘鳍片的凸起具有相对于相应的边缘鳍片的基部的上表面凹陷的凹槽，或者，每个边缘鳍片的凸起与相应的边缘鳍片的基部的上表面以平滑的曲面连接。

9.如权利要求8所述的半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片还包括另一晶体管，所述另一晶体管包括一个鳍片，所述一个鳍片的凸起的上表面的宽度与所述多个鳍片的凸起的上表面的宽度相等。

10.一种半导体芯片的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上形成第一图案化阻挡层；

通过第一图案化阻挡层去除所述基板的一部分，以形成鳍片，其中所述鳍片包括基部和与基部连接的凸起，所述凸起相对于所述基部的上表面凸出；

形成覆盖所述基部的上表面的第二图案化阻挡层，其中所述第二图案化阻挡层具有暴露所述凸起的中空部分；

通过中空部分减薄所述凸起，其中所述鳍片形成凹槽，所述凹槽相对于基部的上表面凹陷；

去除所述第二图案化阻挡层；以及

形成覆盖所述基部和所述凸起的绝缘层，其中所述凸起相对于所述绝缘层凸出；

其中，在去除所述基板的一部分的步骤中，形成多个鳍片，其中所述鳍片包括多个边缘鳍片和位于边缘鳍片之间的内部鳍片；

在形成覆盖所述基部的上表面的第二图案化阻挡层的步骤中，第二图案化阻挡层具有多个中空部分，所述边缘鳍片从所述中空部分暴露；

在通过所述中空部分使所述鳍片变薄的步骤中，通过所述中空部分使所述边缘鳍片的凸起变薄；

每个鳍片的凸起的凹槽所处的底部的宽度大于所述凸起的上表面的宽度。