[发明专利]功率半导体模块的制造方法及功率半导体模块有效
| 申请号： | 201811223774.5 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109712969B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 中村宏之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 制造 方法 | ||
1.一种功率半导体模块的制造方法，其具有下述工序：
工序(a)，形成内置多个横型功率晶体管的功率半导体芯片；
工序(b)，按照与所述功率半导体芯片不同的工艺规则形成进行所述功率半导体芯片的控制的控制用芯片；以及
工序(c)，使用由所述工序(a)形成的所述功率半导体芯片和由所述工序(b)形成的所述控制用芯片而形成一个功率半导体模块，
所述控制用芯片具有：上桥臂控制用芯片，其对所述多个横型功率晶体管中的作为上桥臂动作的功率晶体管进行控制；以及下桥臂控制用芯片，其对所述多个横型功率晶体管中的作为下桥臂动作的功率晶体管进行控制，
所述工序(b)是按照不同的工艺规则形成所述上桥臂控制用芯片和所述下桥臂控制用芯片的工序。
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块的制造方法，其中，
所述工序(b)是以比所述功率半导体芯片小的电路线宽形成所述控制用芯片的工序。
3.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块的制造方法，其中，
所述工序(b)是以比所述上桥臂控制用芯片小的电路线宽形成所述下桥臂控制用芯片的工序。
4.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块的制造方法，其中，
所述工序(c)包含下述工序：
工序(c1)，将支撑体与所述功率半导体芯片的下表面接合；以及
工序(c2)，通过模塑树脂对所述支撑体的除了下表面以外的部位、所述功率半导体芯片以及所述控制用芯片进行封装。
5.根据权利要求3所述的功率半导体模块的制造方法，其中，
所述工序(c)包含下述工序：
工序(c1)，将支撑体与所述功率半导体芯片的下表面接合；以及
工序(c2)，通过模塑树脂对所述支撑体的除了下表面以外的部位、所述功率半导体芯片以及所述控制用芯片进行封装。
6.一种功率半导体模块的制造方法，其具有下述工序：
工序(a)，形成内置多个横型功率晶体管的功率半导体芯片；
工序(b)，按照与所述功率半导体芯片不同的工艺规则形成进行所述功率半导体芯片的控制的控制用芯片；以及
工序(c)，使用由所述工序(a)形成的所述功率半导体芯片和由所述工序(b)形成的所述控制用芯片而形成一个功率半导体模块，
所述工序(c)包含工序(c1)，即，以所述功率半导体芯片的下表面从模塑树脂露出的方式，通过所述模塑树脂对所述功率半导体芯片的除了下表面以外的部位和所述控制用芯片进行封装。
7.一种功率半导体模块，其具有：
功率半导体芯片，其内置多个横型功率晶体管；以及
控制用芯片，其进行所述功率半导体芯片的控制，
所述控制用芯片中的半导体的电路线宽小于所述功率半导体芯片中的半导体的电路线宽，
所述控制用芯片具有：上桥臂控制用芯片，其对所述多个横型功率晶体管中的作为上桥臂动作的功率晶体管进行控制；以及下桥臂控制用芯片，其对所述多个横型功率晶体管中的作为下桥臂动作的功率晶体管进行控制，
所述下桥臂控制用芯片中的半导体的电路线宽小于所述上桥臂控制用芯片中的半导体的电路线宽。
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