[发明专利]功率半导体模块的制造方法及功率半导体模块

说明书

本发明的目的在于实现功率半导体模块的小型化。本发明的功率半导体模块的制造方法具有下述工序：工序(a)，形成内置多个横型功率晶体管(1UP、1UN、1VP、1VN、1WP、1WN)的功率半导体芯片即6合1芯片(1)；工序(b)，按照与6合1芯片(1)不同的工艺规则形成进行6合1芯片(1)的控制的控制用芯片(3U、3V、3W)；以及工序(c)，使用6合1芯片(1)和控制用芯片(3U、3V、3W)而形成一个功率半导体模块。

技术领域

本发明涉及功率半导体模块的制造方法。

背景技术

功率半导体模块具有功率芯片和控制用芯片。功率芯片在其厚度方向上进行通电，因此功率芯片的背面成为电极。因此，为了构成多个相(桥臂)的功率半导体模块，需要多个功率芯片。作为其对策，专利文献1公开了在1个芯片形成有多个横型的功率半导体元件和控制电路的单芯片模块。

专利文献1：日本特开平9－120995号公报

但是，就现有的单芯片模块而言，因功率模块通电时的发热而使控制电路的温度上升。因此，就控制电路而言，需要将动作极限温度设计得高，存在电路规模变大这样的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述的问题而提出的，其目的在于实现功率半导体模块的小型化。

本发明的功率半导体模块的制造方法具有下述工序：工序(a)，形成内置多个横型功率晶体管的功率半导体芯片；工序(b)，按照与功率半导体芯片不同的工艺规则形成进行功率半导体芯片的控制的控制用芯片；以及工序(c)，使用由工序(a)形成的功率半导体芯片和由工序(b)形成的控制用芯片而形成一个功率半导体模块。

本发明的功率半导体模块具有：功率半导体芯片，其内置多个横型功率晶体管；以及控制用芯片，其进行功率半导体芯片的控制，控制用芯片中的半导体的电路线宽小于功率半导体芯片中的半导体的电路线宽。

发明的效果

本发明的功率半导体模块的制造方法具有下述工序：工序(a)，形成内置多个横型功率晶体管的功率半导体芯片；工序(b)，按照与功率半导体芯片不同的工艺规则形成进行功率半导体芯片的控制的控制用芯片；以及工序(c)，使用由工序(a)形成的功率半导体芯片和由工序(b)形成的控制用芯片而形成一个功率半导体模块。根据该制造方法，控制用芯片和横型功率晶体管由不同的芯片形成，因此能够使控制用芯片由于横型功率晶体管导通时的发热而受到的影响变小。因此，能够将控制用芯片的动作极限温度设计得低，所以能够实现控制用芯片的小型化乃至功率半导体模块的小型化。另外，通过按照不同的工艺规则形成功率半导体芯片和控制用芯片，从而能够按照最佳的工艺规则形成控制用芯片，能够实现控制用芯片的小型化。

本发明的功率半导体模块具有：功率半导体芯片，其内置多个横型功率晶体管；以及控制用芯片，其进行功率半导体芯片的控制，控制用芯片中的半导体的电路线宽小于功率半导体芯片中的半导体的电路线宽。因此，能够实现控制用芯片的小型化乃至功率半导体模块的小型化。

附图说明

图1是表示实施方式1涉及的功率半导体模块的结构的俯视图。

图2是表示实施方式1涉及的功率半导体模块的结构的剖视图。

图3是表示实施方式1涉及的功率半导体模块的制造工序的流程图。

图4是表示实施方式2涉及的功率半导体模块的结构的俯视图。

图5是表示实施方式2涉及的功率半导体模块的结构的剖视图。

图6是表示实施方式3涉及的功率半导体模块的结构的剖视图。

图7是表示实施方式4涉及的功率半导体模块的结构的剖视图。

标号的说明