[发明专利]有机EL显示装置和有源矩阵基板

权利要求书

1.一种有机EL显示装置，具有按矩阵状排列的多个像素，上述有机EL显示装置的特征在于，具备：

基板；以及

像素电路，其设置于上述多个像素中的每一像素，

上述像素电路包括支撑于上述基板的多个氧化物半导体TFT，上述多个氧化物半导体TFT包括具有第1氧化物半导体层的第1氧化物半导体TFT和具有第2氧化物半导体层的第2氧化物半导体TFT，

上述第1氧化物半导体TFT具有：

上述第1氧化物半导体层，其设置于在上述基板上形成的第1绝缘层上；

第1栅极绝缘层，其设置于上述第1氧化物半导体层上；

第1栅极电极，其设置于上述第1栅极绝缘层上，与上述第1氧化物半导体层相对；以及

第1源极电极和第1漏极电极，其电连接到上述第1氧化物半导体层，

上述第2氧化物半导体TFT具有：

第2栅极电极，其设置于上述基板上；

第2栅极绝缘层，其以覆盖上述第2栅极电极的方式设置；

上述第2氧化物半导体层，其设置于上述第2栅极绝缘层上，与上述第2栅极电极相对；

第2源极电极和第2漏极电极，其电连接到上述第2氧化物半导体层；以及

屏蔽电极，其设置于在上述第2氧化物半导体层上形成的第2绝缘层上，与上述第2氧化物半导体层相对。

2.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，

上述像素电路包括选择用TFT、驱动用TFT以及电容元件，

上述第2氧化物半导体TFT是上述驱动用TFT。

3.根据权利要求2所述的有机EL显示装置，

上述第1氧化物半导体TFT是上述选择用TFT。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有机EL显示装置，

上述第2氧化物半导体TFT的沿着沟道长度方向的上述第2栅极电极的长度大于沿着上述沟道长度方向的上述屏蔽电极的长度。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的有机EL显示装置，

对上述屏蔽电极提供固定电位。

6.根据权利要求5所述的有机EL显示装置，

上述固定电位是接地电位。

7.根据权利要求1至4中的任意一项所述的有机EL显示装置，

对上述屏蔽电极提供与上述第2栅极电极相同的电位。

8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的有机EL显示装置，

上述第1绝缘层和上述第2栅极绝缘层形成于同一层，

上述第1氧化物半导体层和上述第2氧化物半导体层形成于同一层，

上述第1栅极绝缘层和上述第2绝缘层形成于同一层，

上述第1栅极电极和上述屏蔽电极形成于同一层，

上述第1源极电极、上述第1漏极电极、上述第2源极电极以及上述第2漏极电极形成于同一层。

9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的有机EL显示装置，

还具备：

保护层，其覆盖上述像素电路；

像素电极，其设置于上述保护层上，电连接到上述像素电路；

有机EL层，其设置于上述像素电极上；以及

上部电极，其设置于上述有机EL层上。

10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的有机EL显示装置，

上述第1氧化物半导体层和上述第2氧化物半导体层各自包括In-Ga-Zn-O系半导体。

11.根据权利要求10所述的有机EL显示装置，

上述In-Ga-Zn-O系半导体包括结晶质部分。