[发明专利]有机EL显示装置和有源矩阵基板

说明书

提供能使要求特性不同的多个氧化物半导体TFT适当地混合存在于有机EL显示装置和有源矩阵基板的构成。有机EL显示装置具备基板和设置于各像素的像素电路。像素电路包括包含第1氧化物半导体层的第1氧化物半导体TFT和包含第2氧化物半导体层的第2氧化物半导体TFT。第1氧化物半导体TFT具有顶栅结构。第2氧化物半导体TFT具有底栅结构。第2氧化物半导体TFT具有屏蔽电极，上述屏蔽电极设置于在第2氧化物半导体层上形成的绝缘层上，与第2氧化物半导体层相对。

技术领域

本发明涉及有机EL显示装置和有源矩阵基板，特别是涉及具备氧化物半导体TFT的有机EL显示装置和有源矩阵基板。

背景技术

近年来，随着OLED(Organic Light Emitting Diode：有机发光二极管)技术的进步，从大型电视机到高清晰的智能手机，具备有机EL(电致发光)显示装置作为显示部的产品正在普及。另外，作为OLED的背板用的TFT(薄膜晶体管)，已提出使用适合大面积/高清晰的氧化物半导体TFT来代替目前广泛使用的LTPS(低温多晶硅)-TFT(例如专利文献1)，用更便宜的工艺来制造高性能的TFT的需求在增长。

一般的有机EL显示装置的像素电路包括2个TFT和1个电容元件(保持电容)。2个TFT中的一个TFT被称为选择用TFT，另一个TFT被称为驱动用TFT。在图14中示出有机EL显示装置的像素电路的例子。图14是表示底部发光方式的有机EL显示装置的像素电路900Pc的截面图。图14所示的像素电路900Pc包括选择用TFT910及驱动用TFT920和保持电容930。

选择用TFT910具有栅极电极911、栅极绝缘层912、氧化物半导体层913、源极电极914以及漏极电极915。同样地，驱动用TFT920具有栅极电极921、栅极绝缘层922、氧化物半导体层923、源极电极924以及漏极电极925。

选择用TFT910和驱动用TFT920由基板901支撑。在基板901上形成有基底绝缘层(底涂层)902，在该基底绝缘层902上设置有氧化物半导体层913和923。

在氧化物半导体层913和923上形成有栅极绝缘层912和922，在栅极绝缘层912和922上设置有栅极电极911和921。以覆盖氧化物半导体层913和923、栅极电极911和921的方式形成有层间绝缘层903。在层间绝缘层903上设置有源极电极914和924以及漏极电极915和925。源极电极914、924和漏极电极915、925在形成于层间绝缘层903的接触孔中连接到氧化物半导体层913和923。在层间绝缘层903上还设置有保持电容电极931。保持电容电极931电连接到驱动用TFT920的栅极电极921。

在图14所示的例子中，选择用TFT910和驱动用TFT920均具有顶栅结构。以覆盖选择用TFT910和驱动用TFT920的方式形成有保护层905。在保护层905上设置有彩色滤光片层906，以覆盖彩色滤光片层906的方式形成有平坦化层907。

在平坦化层907上设置有阳极941。阳极941电连接到驱动用TFT920的漏极电极925。

在相邻的像素之间设置有围壁(bank)908。围壁908覆盖像素电极941的一部分。在像素电极941上设置有有机EL层942。在有机EL层942上设置有阴极943。阴极943以在整个显示区域内连续的方式形成。

保持电容930包括：由保持电容电极931及阳极941和位于它们之间的保护层905形成的电容；以及由保持电容电极931及氧化物半导体层923和位于它们之间的层间绝缘层903形成的电容。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2015-195363号公报

发明内容