[发明专利]低功耗内嵌式三层交换装置在审
申请号: | 201811226224.9 | 申请日: | 2018-10-22 |
公开(公告)号: | CN109257306A | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 李卫国;徐刚;崔明宝;常乔冈;陈才强;喻鉴明;谢洋;李茂 | 申请(专利权)人: | 国网江苏省电力有限公司淮安供电分公司;南京鼎富科技实业有限公司 |
主分类号: | H04L12/931 | 分类号: | H04L12/931 |
代理公司: | 淮安市科翔专利商标事务所 32110 | 代理人: | 韩晓斌 |
地址: | 223002 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三层交换装置 低功耗 内嵌式 通信网络设备 处理器模块 光传输设备 三层交换机 工作效率 合为一体 交换模块 可维护性 外围电路 占地空间 变电站 切割 管理部门 供电 配合 | ||
1.低功耗内嵌式三层交换装置,其特征在于,包括处理器模块以及交换模块,所述处理器模块通过PCI接口与所述交换模块连接;
所述处理器模块包括处理器以及复数存储器,所述处理器与所述存储器之间通过60X总线连接;所述处理器在通过PCI接口连接所述交换模块;
所述交换模块包括集成电路芯片、外部动态存储器、若干百兆以太网接口以及若干千兆以太网接口,其中,所述外部动态存储器与所述集成电路芯片内存接口连接,所述百兆以太网接口以及千兆以太网接口分别通过所述集成电路芯片上的MII接口和GMII接口连接。
2.根据权利要求1所述的低功耗内嵌式三层交换装置,其特征在于,所述复数存储器包括CPLD、SDRAM以及Flash芯片,其中,CPLD中保存处理器的初始化指令,所述Flash芯片中存储三层交换装置所需的软件以及配置参数,所述DRAM在处理器启动之后载入FLASH中的程序,保证正常运行。
3.根据权利要求1所述的低功耗内嵌式三层交换装置,其特征在于,所述PCI总线:配置16个10/100M电口、1个1000M电口以及支持1个1000MSFP扩展槽,管理三层交换装置通过外置管理口进行交换机配置;所述PCI总线还提供1000Base-LX全双工的单模或多模LC光纤接口;光纤接口需成对使用,TX口为发射端,连接另一个光纤接口的接收端 RX;RX 口为光收端,连接另一个光纤接口的发射端 TX,光纤接口支持掉线指示。
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