[发明专利]一种Cu-Ni-Gd-B-P电子织物的制备方法

说明书

本发明属于电子材料领域，涉及一种Cu‑Ni‑Gd‑B‑P电子织物的制备方法。本发明提出的制备方法是选择亚麻织物作为基底，利用化学镀的工艺在其表面沉积一层Cu‑Ni‑Gd‑B‑P合金镀层工艺包括表面碱处理，表面改性，金属离子吸附，原位还原，金属共沉积等。本发明制备的耐腐蚀导电织物具有以下优点：（1）亚麻基底，吸汗透气，健康环保。（2）亚麻织物经过碱处理和硅烷偶联剂改性，可以提高织物基底与金属涂层之间的附着力。（3）整个生产工艺流程简便，适合大批量生产，能满足市场需求。

技术领域

本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种Cu-Ni-Gd-B-P电子织物的制备方法。

背景技术

随着通信行业的不断发展，各式各样的电子设备在交通、医疗、科研等领域中的应用越来越广泛。然而，在享受这些电子设备为人们的日常生活带来极大便利的同时，大家也面临着受到电磁辐射污染的风险。据报道，长期接触电磁辐射会引起视力损伤、听力障碍和心律失常等病症。因此，制备可穿戴的电磁屏蔽材料受到了各界的广泛重视。通常，屏蔽材料可分为两种类型：波反射主导材料和吸波主导材料。金属是典型的波反射主导材料，广泛应用于电磁屏蔽领域中。不过，金属基屏蔽材料（包括金属层压板、金属丝网、金属泡沫和金属箔等）有坚硬、重量过大、易受腐蚀等缺点。近年来，便携式柔性电磁屏蔽织物的研究备受关注。在织物表面沉积金属涂层，能够保有原织物的柔性，被认为是制备电磁屏蔽织物的一种可行性方案。化学镀因其操作简便、成本低廉等优点成为织物表面金属化的常用方法。化学镀通常包括表面改性、催化活化和金属沉积三个步骤。有研究发现在化学镀液中加入微量稀土，可以加快沉积速率，细化晶粒尺寸，增强耐腐蚀性。因为稀土具有特殊的4f亚层轨道电子，可以加快电子迁移速度，此外稀土原子半径较大，倾向于沉积在晶界和缺陷处，降低表面张力和界面能量，从而提高沉积速率，进而得到致密均匀的金属涂层，有效防止腐蚀物质的破坏。

通常认为，加入稀土元素可以提高金属层的致密稳定性，从而提高金属包覆型电子织物的耐腐蚀性，但在本申请中，加入稀土元素Gd，导致Cu-Ni-Gd-P电子织物的耐腐蚀性低于Cu-Ni-P电子织物，而加入轻元素B，获得Cu-Ni-Gd-B-P电子织物的耐腐蚀性优于Cu-Ni-P，即在电子织物耐腐蚀性能指标方面，Cu-Ni-Gd-B-P > Cu-Ni-P > Cu-Ni-Gd-P，这是其他文献未曾报道的现象。

发明内容

本发明的目的在于提供一种Cu-Ni-Gd-B-P电子织物的制备方法。

本发明提出Cu-Ni-Gd-B-P电子织物的制备方法，选择亚麻织物作为基底，利用化学镀的工艺在其表面沉积一层Cu-Ni-Gd-B-P合金镀层。具体工艺流程：包括表面碱处理、表面改性、金属离子吸附、原位还原和金属共沉积等。

本发明提出的Cu-Ni-Gd-B-P电子织物的制备方法，具体步骤如下：

（1）表面碱处理：将亚麻织物置于碱溶液中处理10-30分钟；

（2）表面改性：将步骤（１）碱处理后的亚麻织物浸泡在硅烷偶联剂溶液中5-10分钟，放入烘箱烘干，重复该步骤2-3次；

（3）金属离子吸附：将步骤（２）改性处理后的亚麻织物置于金属离子溶液中浸泡10-30分钟，取出烘干；

（4）原位还原：将步骤（３）处理过吸附金属离子的亚麻织物放入还原剂溶液中10-30分钟，取出，洗净；

（5）金属共沉积：将步骤（４）还原过后的亚麻织物置于合金镀液中，在50-90 ℃化学镀0.5-2小时，取出洗净，烘干，制得Cu-Ni-Gd-B-P电子织物。