[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 201811228973.5 | 申请日: | 2018-10-22 |
公开(公告)号: | CN109524420B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 李海龙;刘亮亮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;H01L27/32 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 牛南辉;刘薇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,包括:
基板;
位于所述基板上的发光器件和与所述发光器件相邻的台座,其中,所述台座的顶部具有至少一个突起;
位于所述至少一个突起上的布线;
位于所述基板上的像素定义层,其中,所述发光器件位于所述像素定义层之间;以及
位于所述像素定义层上的像素支撑部,
其中,所述布线的顶表面与所述像素支撑部的顶表面相比更远离所述基板。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述台座和所述突起一体形成。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述台座和所述突起的材料包括聚酰亚胺。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述突起的横截面形状包括方形或圆形。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述台座的横截面形状包括方形。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述突起的横截面形状包括方形,所述突起的横截面的边长为15~25μm,相邻所述突起之间的距离为10~15μm,所述台座的横截面的边长为115~125μm。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,
其中,所述发光器件包括位于所述基板上的阳极、位于所述阳极上的发光层和位于所述发光层上的阴极。
8.一种显示面板,包括权利要求1至7中任一项所述的阵列基板和位于所述阵列基板上的触控基板,
所述触控基板包括:
盖板;
位于所述盖板靠近所述阵列基板的一侧的触控传感器层;以及
位于所述触控传感器层靠近所述阵列基板的一侧的绝缘层,
其中,所述阵列基板的所述布线与所述触控传感器层接触。
9.一种制备阵列基板的方法,包括:
提供基板;
在所述基板上形成发光器件和与所述发光器件相邻的台座,其中,所述台座的顶部具有至少一个突起;
在所述至少一个突起上形成布线;
在所述基板上形成像素定义层以使所述发光器件位于所述像素定义层之间;以及
在所述像素定义层上形成像素支撑部,
其中,所述布线的顶表面与所述像素支撑部的顶表面相比更远离所述基板。
10.根据权利要求9所述方法,其特征在于,形成所述台座和所述突起包括:
在所述基板上形成光敏前体材料;以及
使用半色调掩模构图所述光敏前体材料以形成所述台座和所述突起。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述光敏前体材料包括聚酰亚胺。
12.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述发光器件包括位于所述基板上的阳极、位于所述阳极上的发光层和位于所述发光层上的阴极,其中,所述阳极和所述布线同层设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的