[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 201811228973.5 | 申请日: | 2018-10-22 |
公开(公告)号: | CN109524420B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 李海龙;刘亮亮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;H01L27/32 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 牛南辉;刘薇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
本发明涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。所述阵列基板包括:基板;位于所述基板上的发光器件和与所述发光器件相邻的台座;以及位于所述台座上的布线。所述台座的顶部具有至少一个突起。
技术领域
本发明的实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展,主动矩阵式有机发光二极管(Active-Matrix OrganicLight Emitting Diode,简称AMOLED)显示装置的技术日见成熟,已经越来越多地应用在各个显示领域。
发明内容
本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板,能够改善阵列基板与触控基板之间的接触不良。
在本发明的一方面中,提供了一种阵列基板。所述阵列基板包括:基板;位于所述基板上的发光器件和与所述发光器件相邻的台座;以及位于所述台座上的布线。所述台座的顶部具有至少一个突起。
在本发明的实施例中,所述台座和所述突起一体形成。
在本发明的实施例中,所述台座和所述突起的材料包括聚酰亚胺。
在本发明的实施例中,所述突起的横截面形状包括方形或圆形。
在本发明的实施例中,所述台座的横截面形状包括方形。
在本发明的实施例中,所述突起的横截面形状包括方形,所述突起的横截面的边长为15~25μm,相邻所述突起之间的距离为10~15μm,所述台座的横截面的边长为115~125μm。
在本发明的实施例中,所述阵列基板还包括:位于所述基板上的像素定义层;以及位于所述像素定义层上的像素支撑部。所述发光器件位于所述像素定义层之间,所述发光器件包括位于所述基板上的阳极、位于所述阳极上的发光层和位于所述发光层上的阴极。
在本发明的实施例中,所述布线的顶表面与所述像素支撑部的顶表面相比更远离所述基板。
在本发明的一方面中,还提供了一种显示面板。所述显示面板包括如上所述的阵列基板和位于所述阵列基板上的触控基板。所述触控基板包括:盖板;位于所述盖板靠近所述阵列基板的一侧的触控传感器层;以及位于所述触控传感器层靠近所述阵列基板的一侧的绝缘层。所述阵列基板的所述布线与所述触控传感器层接触。
在本发明的一方面中,还提供了一种制备阵列基板的方法。所述方法包括:提供基板;在所述基板上形成发光器件和与所述发光器件相邻的台座;以及在所述台座上形成布线。所述台座的顶部具有至少一个突起。
在本发明的实施例中,形成所述台座和所述突起包括:在所述基板上形成光敏前体材料;以及使用半色调掩模构图所述光敏前体材料以形成所述台座和所述突起。
在本发明的实施例中,所述光敏前体材料包括聚酰亚胺。
在本发明的实施例中,所述方法还包括在所述基板上形成像素定义层以使所述发光器件位于所述像素定义层之间。
在本发明的实施例中,所述发光器件包括位于所述基板上的阳极、位于所述阳极上的发光层和位于所述发光层上的阴极。所述阳极和所述布线同层设置。
在本发明的实施例中,所述方法还包括在所述像素定义层上形成像素支撑部。所述布线的顶表面与所述像素支撑部的顶表面相比更远离所述基板。
适应性的进一步的方面和范围从本文中提供的描述变得明显。应当理解,本申请的各个方面可以单独或者与一个或多个其他方面组合实施。还应当理解,本文中的描述和特定实施例旨在仅说明的目的并不旨在限制本申请的范围。
附图说明
本文中描述的附图用于仅对所选择的实施例的说明的目的,并不是所有可能的实施方式,并且不旨在限制本申请的范围,其中:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的