[发明专利]光源模块以及光源模块的制造方法

说明书

本发明提供一种光源模块及一种光源模块的制造方法，光源模块包括发光二极管晶粒、承载基板以及封装层。发光二极管晶粒可输出光束，承载基板电性连接于发光二极管晶粒且承载该发光二极管晶粒，且承载基板可反射投射至承载基板的光束，使光束穿过发光二极管晶粒而往外投射，而封装层包括多个高分子聚合物，且该些高分子聚合物设置于发光二极管晶粒以及承载基板上。

技术领域

本发明涉及一种光源模块，尤其涉及高发光效率的光源模块以及其光源模块的制造方法。

背景技术

常见的光源是利用发光二极管(Light Emitting Diode，LED)来产生光束，其发光原理为，于III-V族半导体材料，例如：氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)以及磷化铟(InP)等材料上施加电流，利用电子与空穴的互相结合，使多余的能量于多层量子井(Multiple Quantum Well，MQW)之处以光子的形式释放出来，成为我们眼中所见的光束。

接下来说明现有发光二极管晶粒的结构。请参阅图1，其为现有发光二极管晶粒的结构剖面示意图。图1中显示出现有发光二极管晶粒1为多层堆叠的结构，其包括基板11、P极披覆层12、多层量子井13、N极披覆层14、导电薄膜层(ITO)15、P极接点16以及N极接点17，P极接点16以及N极接点17分别设置于导电薄膜层(ITO)15上，并可供进行打线程序(此将于稍后说明)，而多层量子井13设置于该多层堆叠的结构之中。由于前述已提到发光二极管晶粒1是由多层量子井13出光，因此从多层量子井13向上方输出的光束势必被位于多层量子井13上方的P极披覆层12、导电薄膜层15、P极接点16以及N极接点17所遮挡而耗损，进而显著影响整体向上出光的发光效率。换句话说，传统发光二极管晶粒1的整体发光亮度大部分只能依赖从多层量子井13向侧边出光的光线部分，导致发光效率不佳。因此，传统发光二极管晶粒1的发光效率仍有改善的空间。

请参阅图2，其为应用现有发光二极管晶粒的光源模块的结构剖面示意图。光源模块2包括有电路板21以及设置于电路板21上的多个发光二极管22(为了清楚表示，图2仅绘出单一个发光二极管22)，且每一发光二极管22电性连接于电路板21，故可接收来自电路板21的电流而输出光束。其中，光源模块可被设置于电子装置(未显示于图中)内，令电子装置可提供输出光束的功能，一般而言，光源模块可分为下列二种：第一，电路板21仅负责有关发光二极管22的电路运行，而电子装置所主要提供的电子功能的相关电子信号处理则通过另一电路板进行。第二、电路板21能够负责有关发光二极管22的电路运行，亦能够对有关于电子装置所主要提供的电子功能的相关电子信号进行处理。

其次，光源模块2中的每一发光二极管22皆为单一个现有发光二极管晶粒1被封装后所形成者，且发光二极管晶粒1的P极接点16以及N极接点17经由打线18而连接至电路板21的电性引脚211，借此发光二极管22才能接收来自电路板21的电流。然而，于发光二极管晶粒1的封装过程中，发光二极管晶粒1通常要被设置于一载板19上，但载板19所占据的体积以及预留打线18所需的高度皆是发光二极管晶粒1被封装后的整体厚度会增加的主因，故应用传统发光二极管晶粒1的光源模块十分不利于超薄化，当然，亦不利于欲设置该光源模块的电子装置朝轻、薄、短小的方向发展。

随着科技的发展与生活品质的提升，使用者或制造商对于光源模块所能提供的功能有更多的诉求，举例来说，使用者或制造商希望光源模块所输出的光束不仅是用来照明，而有更多应用的可能性。因此，在现有的光源模块2中，于发光二极管22所输出的光线的路径上还设置有光学结构23，如掩模，其对发光二极管22所输出的光线进行二次光学处理，如混光、导光、绕射、折射等，以令穿过光学结构23的光线具有特定的光学效果。然而，前述已提到，基于传统发光二极管晶粒的组成与封装，光源模块原本就已不利于超薄化，若又为了再增加光学效果而增设光学结构23，将使得光源模块的超薄化更为不易。