[发明专利]晶圆承盘标示方法及其结构在审
| 申请号： | 201811234126.X | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN111092042A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 王智 | 申请（专利权）人： | 王智 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/687;B23K26/362 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 张晶;程凤儒 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆承盘 标示 方法 及其 结构 | ||
1.一种晶圆承盘结构，其特征在于，包含：
一承盘本体，其具有一承载面及一底面，该承载面相对该底面，一承载部形成在该承载面且延伸朝向该底面，一周面位在该承载面及该底面间，且该周面连结该承载面及该底面；
一被覆层，其设置在该承盘本体的该周面或该底面；
一标示构造，为复数镂空的组合，各该镂空形成在该被覆层，且该承盘本体的表面颜色可透出各该镂空，致使各该镂空所组成的该标示构造为可视及/或可扫描。
2.如权利要求1所述的晶圆承盘结构，其特征在于，各该镂空所组成的该标示构造为选自一维条码或二维条码。
3.如权利要求1所述的晶圆承盘结构，其特征在于，各该镂空所组成的该标示构造为选自文字或数字。
4.一种晶圆承盘标示的成型方法，其特征在于，包含有下列步骤：
一成型步骤，为以塑料成型为一承盘本体，该承盘本体一侧为一承载面，另一侧为一底面，一周面位在该承载面与该底面间，且该周面连结该承载面及该底面；
一被覆步骤，为在该承盘本体的该周面或该底面设置一被覆层，该被覆层的颜色相异于该承盘本体的颜色；
一标记成型步骤，为移除部分的该被覆层，且每一被移除的位置形成一镂空，藉此该被覆层具有复数该镂空，且该承载盘本体的表面颜色可透出各该镂空以形成一标示构造。
5.如权利要求4所述的晶圆承盘标示的成型方法，其特征在于，该被覆步骤中，以镀膜或溅镀的方式设置该被覆层。
6.如权利要求4所述的晶圆承盘标示的成型方法，其特征在于，该标记成型步骤中，通过镭射雕刻方式移除该被覆层的部分位置以形成一镂空。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
