[发明专利]喷嘴待机装置、液处理装置及其运转方法和存储介质有效
申请号: | 201811234661.5 | 申请日: | 2018-10-23 |
公开(公告)号: | CN109698145B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 大田黑弘城 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷嘴 待机 装置 处理 及其 运转 方法 存储 介质 | ||
本发明提供一种喷嘴待机装置。在喷嘴收纳部中,将溶剂吸入喷嘴的前端部以形成溶剂的液层时,能够节省向喷嘴收纳部供给的溶剂。使喷嘴在喷嘴收纳部待机,从溶剂出液口以第一流量供给溶剂,以封闭喷嘴的出口的方式形成液膜后,以比第一流量少的第二流量供给溶剂。第二流量是能够维持喷嘴的出口被溶剂封闭的状态的流量,形成于喷嘴的出口的液膜与溶剂接触,由此利用表面张力将溶剂吸入喷嘴的前端部,形成溶剂的液层。因此,不需要在喷嘴收纳部形成溶剂的积液,而且在从溶剂出液口供给溶剂的期间,使该供给流量从第一流量减少至第二流量,因此能够节省溶剂。
技术领域
本发明涉及使用于吐出会因干燥而固化的处理液的喷嘴在喷嘴收纳部待机,将溶剂吸入喷嘴的前端部以形成溶剂的液层的技术。
背景技术
在半导体器件的制造工序中,存在为了形成抗蚀剂图案而将抗蚀剂液涂敷于基板的处理。抗蚀剂液的涂敷例如通过一边使保持在旋转卡盘的半导体晶片(以下称为“晶片”)旋转,一边从喷嘴向该晶片的大致中心部吐出抗蚀剂液来进行。
抗蚀剂液包含由有机材料形成的抗蚀剂膜的成分和该成分的溶剂例如稀释液(thinner),具有与大气接触时容易干燥的性质,可能因干燥而浓度等发生变化。因此,采用在喷嘴的前端内部的抗蚀剂液层的外侧形成空气层和溶剂层(溶剂的液层),以防止喷嘴内的抗蚀剂液干燥的方法。例如模拟吐出喷嘴内的抗蚀剂液之后,将空气吸引到该喷嘴内以形成空气层,接着将喷嘴的前端部浸渍在溶剂中并将溶剂吸引到喷嘴内,由此来执行该方法。
专利文献1记载有一种方法,其中在使喷嘴进入清洗室后,吸引喷嘴内的抗蚀剂液,接着在清洗室内形成溶剂的积液,将喷嘴浸渍的前端在该积液中并吸引该积液,由此形成溶剂层。清洗室构成为倒圆锥形的漏斗状,其下端经由排出孔设置有排出路径。
但是,在使用如三维NAND型存储用的抗蚀剂薄膜那样的粘度较高的抗蚀剂液的情况下,抗蚀剂液容易附着并堆积在排出孔的内壁,因此在排出孔容易发生堵塞。因此,例如在下一次模拟排出抗蚀剂液时抗蚀剂液溢出,喷嘴的前端有可能被污染。若扩大排出孔,则能够改善抗蚀剂液的堵塞情况,但是溶剂变得难以存积在清洗室内,为了在清洗室中形成积液,不得不增大溶剂的流量,存在溶剂的消耗量变多的缺点。
专利文献2中提出了一种抑制喷嘴清洗液的消耗量的方法。该方法中,向在底面部设置有排出流路的喷嘴收纳部内供给清洗液,并且也向排出流路内供给清洗液以形成涡流,通过该涡流来调整排出流量,抑制在喷嘴收纳部内存积清洗液时的清洗液的消耗量。但是,该方法为在喷嘴收纳部内存积清洗液的方法,故而当增大排出流路的内径时,清洗液的供给量变多,难以解决本发明的课题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-62352号公报
专利文献2:日本特开2017-92239号公报(0069、0070段等)
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明是鉴于这样的情况而完成的,其目的在于提供一种技术,其使用于吐出处理液的喷嘴在喷嘴收纳部待机,在将溶剂吸入喷嘴的前端部以形成溶剂的液层时,能够节省向喷嘴收纳部供给的溶剂。
用于解决技术问题的技术方案
因此,本发明为一种喷嘴待机装置,其用于:使用于吐出会因干燥而固化的处理液的喷嘴待机,将溶剂吸入喷嘴的前端部以形成溶剂的液层,
上述喷嘴待机装置的特征在于,包括:
喷嘴收纳部,其包括以包围上述喷嘴的前端部的方式形成的内周面,与喷嘴的出口相对地形成有收纳部排出口;
溶剂出液口,其在上述喷嘴收纳部内开口,并形成为沿上述喷嘴收纳部的内周面引导从该溶剂出液口吐出的溶剂而使其从上述收纳部排出口排出;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造