[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在对基板进行处理而制造半导体装置的方法中，包括如下工序：

对于表面被牺牲膜覆盖且形成有凹部的基板，从所述牺牲膜的上表面侧供给聚合用的原料，形成由具有脲键的聚合物形成的聚合物膜，在所述凹部内埋入所述聚合物的工序，所述凹部包含进行了图案化的所述牺牲膜的开口；

保留埋入至所述凹部内的聚合物，将所述牺牲膜的上表面侧的聚合物膜去除的工序；

在所述凹部内埋入有聚合物的状态下将所述牺牲膜去除的工序；以及

接着，将所述凹部内的聚合物去除的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在将所述牺牲膜去除的工序中使用蚀刻剂来去除牺牲膜，

所述蚀刻剂能与所述牺牲膜反应而去除该牺牲膜，另一方面对所述聚合物的反应性比所述牺牲膜小。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述将所述凹部内的聚合物去除的工序为如下工序：

对所述聚合物进行加热，由此使该聚合物解聚。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，将所述牺牲膜的上表面侧的聚合物膜去除的工序为如下工序：

对所述聚合物膜进行加热，由此使构成该聚合物膜的聚合物解聚。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在进行在所述凹部内埋入所述聚合物的工序之前，包括如下工序：

使用所述牺牲膜作为掩模对基板进行蚀刻，形成所述凹部。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在进行在所述凹部内埋入所述聚合物的工序之前，包括如下工序：

对所述基板照射离子，从而在所述凹部内进行离子注入。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述凹部内埋入所述聚合物的工序包括如下工序：

对形成于所述牺牲膜的上表面侧的聚合物膜进行加热，使部分解聚而具有流动性的聚合物膜进入所述凹部内。

8.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述凹部内埋入所述聚合物的工序包括如下工序：

边对基板进行加热边在所述牺牲膜的上表面侧形成聚合物膜，由此边使部分解聚而具有流动性的聚合物膜进入所述凹部内边形成聚合物。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述凹部内埋入所述聚合物的工序为如下工序：

向基板供给异氰酸酯的蒸气和胺的蒸气并对基板进行加热，从而使异氰酸酯与胺发生聚合反应而形成所述聚合物膜。

10.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述在凹部内埋入所述聚合物的工序为如下工序：

向基板供给包含异氰酸酯的溶液和包含胺的溶液并对所述基板进行加热，从而使异氰酸酯与胺发生聚合反应而形成所述聚合物膜。