[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

[课题]提供能抑制蚀刻剂经由形成于半导体制造装置的开口进入所伴随的损伤的产生、并且能将牺牲膜去除的半导体装置的制造方法。[解决方案]在制造半导体装置的方法中，对形成有凹部(29)的基板形成由具有脲键的聚合物形成的聚合物膜(6)，在凹部(29)内埋入聚合物；所述凹部(29)包含进行了图案化的牺牲膜(23)的开口。接着，保留埋入的聚合物(6a)而去除聚合物膜(6)后，在凹部(29)内埋入有聚合物(6a)的状态下去除牺牲膜(23)，然后去除凹部(29)内的聚合物。

技术领域

本发明涉及使用牺牲膜制造半导体装置的技术。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，有时使用被称作牺牲膜的膜。牺牲膜是在制造工序时使用但在途中被去除、从而不包含于作为制品的半导体装置中的膜。作为牺牲膜有：与抗蚀剂掩模相对应而形成于该掩模的下层侧的中间掩模；在双镶嵌中用于将沟槽和通孔分开的中间膜等。对于这些牺牲膜，考虑其使用目的等优选从无机膜、有机膜等各种膜材料中选择。

规定的制造工序中使用的牺牲膜通过使用进行了等离子体化的蚀刻气体的干蚀刻、使用蚀刻液的湿蚀刻等来去除。

另一方面，有时也在使用了牺牲膜后的制造途中的半导体装置(以下，也称为“结构体”)的表面形成有所述的沟槽孔(trench hole)、通孔等开口。若蚀刻气体、蚀刻液(也将它们统称为“蚀刻剂”)介由该开口进入结构体内，则也有与蚀刻剂接触的结构体内部的构件会劣化等遭受损伤的担心。

例如专利文献1中记载了如下技术：使用相当于牺牲膜的蚀刻掩模在硅层形成通孔后，在该通孔内埋入由聚酰亚胺性的树脂、有机SOG、感光性的抗蚀剂等材料形成的保护部。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-120759号公报：权利要求1、0030～0033段、图1

发明内容

发明要解决的问题

专利文献1中记载的技术通过使用保护部，防止了在蚀刻掩模的去除中所用的氢氟酸、热磷酸等进入通孔内。但是，最终保护部自身也从作为制品的半导体装置被去除，也有在去除该保护部的处理中给结构体的内部带来损伤的担心。

本发明是鉴于这样的实际情况而做出的，其提供抑制蚀刻剂介由形成于半导体制造装置的开口进入所伴随的损伤的产生、并且能去除牺牲膜的半导体装置的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，在对基板进行处理制造半导体装置的方法中，包括如下工序：

对表面被牺牲膜覆盖且形成有凹部的基板，从前述牺牲膜的上表面侧供给聚合用的原料，形成由具有脲键的聚合物形成的聚合物膜，在前述凹部内埋入前述聚合物的工序，所述凹部与进行了图案化的前述牺牲膜的开口相对应；

保留埋入至前述凹部内的聚合物，将前述牺牲膜的上表面侧的聚合物膜去除的工序；

在前述凹部内埋入有聚合物的状态下将前述牺牲膜去除的工序；以及

接着，将前述凹部内的聚合物去除的工序。

发明的效果

本发明在凹部内埋入有具有脲键的聚合物的状态下将牺牲膜去除。另一方面，前述聚合物能够在与去除牺牲膜时不同的条件下(例如加热、其他蚀刻剂的使用)较容易地去除，因此能够抑制对半导体装置的损伤的产生并且能够对埋入至凹部内的聚合物进行去除。

附图说明

图1为示出第1实施方式的半导体装置的制造方法的第1说明图