[发明专利]一种积木式平板PECVD镀膜系统在审
申请号: | 201811239277.4 | 申请日: | 2018-10-23 |
公开(公告)号: | CN109207966A | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 何振杰 | 申请(专利权)人: | 杭州海莱德智能科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/52;C23C16/46 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310051 浙江省杭州市滨*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 积木式 工艺模块 过渡模块 升降模块 高低速 常压 自动化 度电成本 复合薄膜 隔离装置 功能部件 光伏发电 生命周期 实际需求 制造成本 互换性 兼容性 载板 制备 门槛 升级 投资 | ||
1.一种积木式平板PECVD镀膜系统,其特征在于,包括载板、真空与常压切换模块、高低速过渡模块、工艺模块和自动化升降模块,所述真空与常压切换模块、高低速过渡模块、工艺模块和自动化升降模块之间通过隔离装置连接。
2.如权利要求1所述的积木式平板PECVD镀膜系统,其特征在于,所述隔离装置为隔离阀或者连接板。
3.如权利要求2所述的积木式平板PECVD镀膜系统,其特征在于,所述真空与常压切换模块包括第一腔体、第一加热装置、真空装置、充气装置、第一上层传动机构和第一下层传动机构;
所述第一腔体用以形成一个对所述载板上的硅片进行加工的第一加工空间;
所述第一加热装置设置在第一盖板内并与所述第一盖板相配合用以对所述载板上的硅片进行加热;
所述真空装置通过第一真空管路用以对所述第一腔体进行抽气,以使得所述第一腔体形成第一真空空间;
所述充气装置通过第一充气管路用以对所述第一腔体进行充气,以使得所述第一腔体形成第一常压空间;
所述第一上层传动机构设置在所述第一腔体的上部,用以将所述载板在所述第一腔体的上部进行水平穿送;
所述第一下层传动机构设置在所述第一腔体的下部,用以将所述载板在所述第一腔体的下部进行水平穿送。
4.如权利要求3所述的积木式平板PECVD镀膜系统,其特征在于,所述高低速过渡模块包括电气控制装置、第二腔体、第二加热装置、第二上层传动机构和第二下层传动机构;
所述电气控制装置用以对所述高低速过渡模块进行自动控制;
所述第二腔体用以形成一个对所述载板上的硅片进行加工的第二加工空间;
所述第二加热装置设置在第二盖板内并与所述第二盖板相配合用以对所述载板上的硅片进行加热;
所述第二上层传动机构设置在所述第二腔体的上部,用以将所述载板在所述第二腔体的上部进行水平穿送;
所述第二下层传动机构设置在所述第二腔体的下部,用以将所述载板在所述第二腔体的下部进行水平穿送。
5.如权利要求4所述的积木式平板PECVD镀膜系统,其特征在于,所述工艺模块包括第三腔体、第三加热装置、第三上层传动机构、第三下层传动机构、真空系统、送气系统、微波传输系统和气路控制装置;
所述第三腔体用以形成一个对所述载板上的硅片进行加工的第三加工空间;
所述第三加热装置设置在第三盖板内并与所述第三盖板相配合用以对所述载板上的硅片进行加热;
所述第三上层传动机构设置在所述第三腔体的上部,用以将所述载板在所述第三腔体的上部进行水平穿送;
所述第三下层传动机构设置在所述第三腔体的下部,用以将所述载板在所述第三腔体的下部进行水平穿送;
所述真空系统通过第二真空管路用以对所述第三腔体进行抽气,以使得所述第三腔体形成第二真空空间;
所述送气系统通过送气管路用以对所述第一腔体进行送气,以供所述第三腔体内的所述载板上的硅片生长;
所述微波传输系统用以将微波能量传送至所述第三腔体,激发所述送气系统送入的气体成等离子形态,以在硅片表面形成功能薄膜材料;
气路控制装置,用以提供所述送气系统所需的气体,并进行精确控制。
6.如权利要求5所述的积木式平板PECVD镀膜系统,其特征在于,所述第二真空管路上还设置有蝶阀,所述蝶阀用以调节所述第二真空管路的通径大小,以调节控制所述第三加工空间的压力大小。
7.如权利要求6所述的积木式平板PECVD镀膜系统,其特征在于,所述第二真空管路上还设置有插板阀,所述插板阀用以截断所述第二真空管路,以使得所述第三加工空间与所述真空系统隔离。
8.如权利要求7所述的积木式平板PECVD镀膜系统,其特征在于,所述自动化升降模块包括升降运动机构和水平运动机构,所述升降运动机构设置有升降滑轨和升降动力装置,所述水平运动机构通过水平连接件与所述升降滑轨连接,所述升降动力装置带动所述水平运动机构沿着所述升降滑轨上下滑动。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的