[发明专利]一种积木式平板PECVD镀膜系统在审
申请号: | 201811239277.4 | 申请日: | 2018-10-23 |
公开(公告)号: | CN109207966A | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 何振杰 | 申请(专利权)人: | 杭州海莱德智能科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/52;C23C16/46 |
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地址: | 310051 浙江省杭州市滨*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 积木式 工艺模块 过渡模块 升降模块 高低速 常压 自动化 度电成本 复合薄膜 隔离装置 功能部件 光伏发电 生命周期 实际需求 制造成本 互换性 兼容性 载板 制备 门槛 升级 投资 | ||
本发明的一种积木式平板PECVD镀膜系统,包括载板、真空与常压切换模块、高低速过渡模块、工艺模块和自动化升降模块,所述真空与常压切换模块、高低速过渡模块、工艺模块和自动化升降模块之间通过隔离装置连接。本发明的积木式平板PECVD镀膜系统,简化了功能部件,极大地提高了部件之间的通用性和互换性,降低制造成本。同时,根据实际需求,可以实现各种复合薄膜的制备,提高了设备的兼容性和灵活性,有利于后续的技术升级,大大延长了设备的生命周期,在一定程度上降低了行业的投资门槛,降低光伏发电的度电成本。
技术领域
本发明涉及光伏领域,更具体地说,涉及一种积木式平板PECVD镀膜系统。
背景技术
光伏行业的核心是技术进步推动成本下降,最终实现平价上网。电池效率提升1%,光伏发电度电成本下降7%,因此提高电池转换效率对于降低光伏发电成本、推动平价上网进程有着十分重要的意义。当前,在“领跑者计划”和产业转型升级的推动下,各种高效晶体硅电池生产技术呈现百花齐放发展态势,其中PERC电池技术的单晶硅电池平均光电转换效率提升至21.8%,且仍有较大的技术进步空间。N型晶硅电池则开始进入小规模量产,技术进展也较为迅速,包括使用PERT技术的N型晶硅电池、HIT等异质结电池和IBC等背接触电池将会是未来发展的主要方向之一。在诸多高效电池技术路线中,PECVD成膜技术是行业的关键技术,用来生长高效晶硅电池制造过程中的各种薄膜材料。
目前行业内存在的PECVD设备有管式和平板式两种,其中前者具有单管单控的优势,生产比较灵活,单管维护时不影响其他工艺管生产,但是由于受限于管径和加热区长度,在提高产能、降低能耗方面有所不足,无法满足节能减排、高自动化的行业需求,以及硅片尺寸薄片化、大尺寸的技术发展方向。平板式PECVD设备改变了硅片的摆放方式,适合行业和技术发展方向需求,但是在接口方式、产能、模块通用性等方面存在不足,不利于降低制造成本,从而造成行业的固定资产投资过高,不利于光伏发电平价上网。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种积木式平板PECVD镀膜系统,简化了功能部件,极大地提高了部件之间的通用性和互换性,降低制造成本。同时,根据实际需求,可以实现各种复合薄膜的制备,提高了设备的兼容性和灵活性,有利于后续的技术升级,大大延长了设备的生命周期,在一定程度上降低了行业的投资门槛,降低光伏发电的度电成本。
为了达到上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种积木式平板PECVD镀膜系统,包括载板、真空与常压切换模块、高低速过渡模块、工艺模块和自动化升降模块,所述真空与常压切换模块、高低速过渡模块、工艺模块和自动化升降模块之间通过隔离装置连接。
优选的,所述隔离装置为隔离阀或者连接板。
优选的,所述真空与常压切换模块包括第一腔体、第一加热装置、真空装置、充气装置、第一上层传动机构和第一下层传动机构;
所述第一腔体用以形成一个对所述载板上的硅片进行加工的第一加工空间;
所述第一加热装置设置在第一盖板内并与所述第一盖板相配合用以对所述载板上的硅片进行加热;
所述真空装置通过第一真空管路用以对所述第一腔体进行抽气,以使得所述第一腔体形成第一真空空间;
所述充气装置通过第一充气管路用以对所述第一腔体进行充气,以使得所述第一腔体形成第一常压空间;
所述第一上层传动机构设置在所述第一腔体的上部,用以将所述载板在所述第一腔体的上部进行水平穿送;
所述第一下层传动机构设置在所述第一腔体的下部,用以将所述载板在所述第一腔体的下部进行水平穿送。
优选的,所述高低速过渡模块包括电气控制装置、第二腔体、第二加热装置、第二上层传动机构和第二下层传动机构;
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的