[发明专利]衬底保持器和光刻装置有效
申请号: | 201811239416.3 | 申请日: | 2013-01-17 |
公开(公告)号: | CN109298602B | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
发明(设计)人: | R·拉法雷;S·唐德斯;N·坦凯特;N·德齐奥姆基纳;Y·卡瑞德;E·罗登伯格 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;B05D3/06;B05D5/00;B22F3/105;B22F7/06;B23K26/342;B23K26/354;B23Q3/18;B33Y10/00;B33Y80/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;郑振 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 保持 光刻 装置 | ||
1.一种用于在光刻装置中使用的衬底保持器,所述衬底保持器包括:
主体;
第一多个突节,提供在所述主体的第一侧上并且具有用于支撑所述衬底的端面,其中每个所述突节包括从所述主体突出的下体部和位于所述下体部上方的上体部,其中所述下体部与所述上体部的材料不同,所述上体部包括类金刚石,并且所述上体部彼此隔开;
第二多个突节,提供在所述主体的第二侧上;
其中所述主体具有1mm至50mm范围内的厚度。
2.根据权利要求1所述的衬底保持器,其中所述主体由与所述突节不同的材料形成。
3.根据权利要求1所述的衬底保持器,其中所述主体包括从以下各项构成的组中选择的至少一种材料:微晶玻璃、堇青石、SiSiC、SiC、AlN、陶瓷和玻璃陶瓷。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的衬底保持器,其中所述突节从所述主体突出以在从1微米至250微米的范围内选择的距离。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的衬底保持器,其中所述突节是圆柱形的。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的衬底保持器,其中所述下体部包括从由以下各项构成的组中选择的至少一种材料:SiC、SiO2、TiN和CrN。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的衬底保持器,还包括形成电气或电子组件的薄膜堆叠,所述薄膜堆叠位于所述主体的上表面。
8.根据权利要求7所述的衬底保持器,其中所述组件是从以下各项构成的组中选择的组件:电极、加热器、传感器、晶体管和逻辑器件。
9.一种用于在光刻装置中使用的衬底保持器,所述衬底保持器包括:
主体;
从所述主体的第一侧突出的第一多个凸出,其中每个所述凸出包括第一部分和第二部分,其中所述第一部分和所述第二部分的材料不同,所述第二部分包括类金刚石,所述第二部分彼此通过它们之间的开放间隙隔开,所述第一部分彼此通过它们之间的开放间隙隔开,并且所述第二部分相对于所述主体处于所述第一部分的外侧;
第二多个凸出,提供在所述主体的第二侧上;以及
传感器和加热器,被配置为允许实时测量和控制由所述衬底保持器支撑的衬底和/或所述衬底保持器的温度。
10.根据权利要求9所述的衬底保持器,其中所述凸出从所述主体突出以在从1微米至250微米的范围内选择的距离。
11.根据权利要求9所述的衬底保持器,其中所述凸出是圆柱形的。
12.根据权利要求9-11中任一项所述的衬底保持器,其中所述第一部分包括从由以下各项构成的组中选择的至少一种材料:SiC、SiO2、TiN和CrN。
13.根据权利要求9-11中任一项所述的衬底保持器,还包括形成电气或电子组件的薄膜堆叠,所述薄膜堆叠位于所述主体的上表面。
14.根据权利要求13所述的衬底保持器,其中所述组件是从以下各项构成的组中选择的组件:电极、加热器、传感器、晶体管和逻辑器件。
15.一种光刻装置,包括:
支撑结构,被配置用于支撑图案化器件;
投影系统,被布置成将由所述图案化器件图案化的光束投影至衬底上;以及
衬底保持器,被布置成保持所述衬底,所述衬底保持器是根据权利要求1到14中任一项所述的衬底保持器。
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