[发明专利]一种本振泄漏校正装置和方法有效
申请号: | 201811240360.3 | 申请日: | 2018-10-24 |
公开(公告)号: | CN109150231B | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 王昭;姜洪波 | 申请(专利权)人: | 广东博威尔电子科技有限公司 |
主分类号: | H04B1/525 | 分类号: | H04B1/525;H04B1/40 |
代理公司: | 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 | 代理人: | 邹常友 |
地址: | 528437 广东省中山市火炬开发区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 泄漏 校正 装置 方法 | ||
本发明提出一种本振泄漏校正装置和方法,利用装置本身的资源进行自校正,校正装置包括校正模块、本振泄漏检测模块、校正算法控制电路和校正参数存储模块;所述本振泄漏检测模块用于检测本振泄漏的信号强度;所述校正算法控制电路用于实现校正参数的逐次逼近算法获得校正参数;所述校正模块用于将校正算法控制电路的输出值或者校正参数存储模块中的存储值作为发射IQ直流的方向校正值,从而达到对本振泄漏校正的目的。所述校正算法控制电路的输出端反馈连接至校正模块。所述本振泄漏的校正方法是进行N比特逐次逼近算法获得IQ信号预直流偏置值,在正常发射时被自动载入到校正模块中。
技术领域
本发明属于通讯技术领域,具体涉及一种本振泄漏的校正装置和方法。
背景技术
零中频发射机因其结构简单、集成度高、功耗低,面积小,所需外围元器件少等特点在无线通信领域已经得到了广泛的应用。但是由于生产工艺偏差、电路设计参数设计不匹配等诸多非理想因素的存在,使得电路存在固有的直流失调,该直流失调和本振信号混频后不可避免地引入的本振泄漏,对于零中频发射机,较大的本振泄漏将直接恶化发射EVM以及发射杂散指标不达标,降低芯片量产良率,因此必须将本振泄漏进行抑制或校正。现有技术中大多在基带数字处理芯片中采用数据辅助等相关算法对射频发射机的本振泄漏进行检测和校正,例如,传统的零中频射频收发机在发射机通道中,基带数字信号由数模转换器(DAC)转换为模拟基带信号,经模拟低通滤波器(LPF)滤波后,和LO混频直接上变频为射频发射信号,再通过可变增益放大器(VGA)放大后输出至片外功率放大器(PA);相应地,在接收机通道中,射频信号经低噪声放大器(LNA)放大后和LO混频直接下变频为模拟基带信号,再通过LPF滤波,由模数转换器(ADC)转换为数字基带信号。由于需要大量样本数据,且需要多次复杂运算(如FFT运算),存在处理时间长,运算量大,实现复杂等缺点,而且占用大量基带芯片硬件或软件资源。
发明内容
为克服现有技术中存在的问题,本发明提出一种本振泄漏校正装置和方法,利用射频收发机本身的资源进行自校正,无需基带芯片参与,其具体技术内容如下:
所述的本振泄漏校正装置包括校正模块、本振泄漏检测模块、校正算法控制电路和校正参数存储模块;
所述本振泄漏检测模块用于检测本振泄漏的信号强度;
所述校正算法控制电路用于实现校正参数的逐次逼近,即在校正模块中分别叠加一个正的方向和负的方向的偏移量,该偏移量将引起本振泄漏信号强度的变化,依据本振泄漏信号强度的变化方向,对校正参数的每个比特位按照逐次逼近算法依次设置,从而获得校正参数;
所述校正模块用于将校正算法控制电路的输出值或者校正参数存储模块中的存储值作为发射IQ直流的方向校正值,从而达到对本振泄漏校正的目的,其具有数字接口,于校正时输入“0”信号,该“0”信号的输入受控制于所述校正算法控制电路;
所述校正参数存储模块用于存储校正算法最终获得的IQ信号预直流偏置值,当正常发射时,将被自动载入到校正模块中;
所述校正算法控制电路的输出端反馈连接至校正模块。
进一步的,所述校正模块与校正算法控制电路之间由一反馈开关连接,所述反馈开关在本振泄漏校正时,将自动闭合将本振泄漏信号反馈至校正模块。
所述本振泄漏校正方法,包括如下步骤:
设置有上述的校正模块、本振泄漏检测模块、校正算法控制电路和校正参数存储模块;
步骤1,在芯片上电初始化时,打开接收通道,运行接收通道直流校正,以消除接收通道本身的直流对于本振泄漏校正的影响;
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