[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，所述的半导体装置包括：

一绝缘体上覆硅基底，包含一半导体基底、一半导体层、和设置于所述半导体基底与所述半导体层之间的一埋藏氧化层，其中所述半导体层包含一第一半导体区块和一第二半导体区块，所述第一半导体区块和第二半导体区块被设置于所述半导体层中的一隔离结构隔开，其中所述半导体层的导电型态为p型，所述第一半导体区块和第二半导体区块的导电型态为p型；

一第一主动元件和一第二主动元件，分别设置于所述第一半导体区块和所述第二半导体区块上；以及

一内连线结构，设置于所述半导体层之上，其中所述内连线结构包含多个接触件、和依序排列于所述接触件之上的多层级的金属导线，以提供一第一路径和一第二路径；

其中所述第一主动元件的一源极/漏极区通过所述第一路径电连接至所述第二主动元件的一栅极结构；

其中所述第一半导体区块通过所述第二路径电连接至所述第二半导体区块，所述第二路径包含所述接触件的一第一接触件，所述第一接触件接触所述第二半导体区块的上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二路径包含所述金属导线的第X层级，且所述第一路径包含所述金属导线的第Y层级，其中X小于或等于Y。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一路径与所述第二路径没有共用所述接触件且没有共用所述金属导线。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二路径包含所述接触件的一第二接触件，所述第二接触件接触所述第一半导体区块的上表面。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述第一接触件接触所述第二半导体区块中的非源极/漏极区的一掺杂区，且所述第二接触件接触所述第一半导体区块中的非源极/漏极区的一掺杂区。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述第二路径包含所述金属导线的第1层级，且所述金属导线的所述第1层级与所述第一接触件和所述第二接触件接触。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一路径与所述第二路径共用所述接触件或所述金属导线。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一路径和所述第二路径两者皆包含所述接触件的一第二接触件，所述第二接触件接触所述第一主动元件的所述源极/漏极区。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，从上视角度观之，所述第一半导体区块的一第一面积大于所述第二半导体区块的一第二面积。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体层还包含多个第三半导体区块，且所述半导体装置还包括：分别设置于所述第三半导体区块上的多个第三主动元件；

其中所述第三主动元件的各自源极/漏极区与所述第一主动元件的所述源极/漏极区电连接；

其中从上视角度观之，所述第一半导体区块和所述第三半导体区块的面积总和为一第一面积，且所述第一面积大于所述第二半导体区块的一第二面积。

11.根据权利要求9或10所述的半导体装置，其特征在于，从上视角度观之，所述第二主动元件的所述栅极结构的一栅极介电层具有一第三面积，且所述第一面积、第二面积和第三面积的相互关系满足下列方程式：(所述第一面积-所述第二面积)/所述第三面积200000。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述隔离结构自所述半导体层的上表面延伸至所述埋藏氧化层。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一主动元件为反相器。