[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明公开一种半导体装置及其制造方法，装置包含绝缘体上覆硅基底、第一和第二主动元件、以及内连线结构。绝缘体上覆硅基底包含半导体层，半导体层包含被隔离结构隔开的第一和第二半导体区块。第一和第二主动元件分别设置于第一和第二半导体区块上。第一主动元件的源极/漏极区通过内连线结构提供的第一路径电连接至第二主动元件的栅极结构。第一半导体区块通过内连线结构提供的第二路径电连接至第二半导体区块。第二路径包含接触件，接触件接触第二半导体区块的上表面。

技术领域

本发明是有关于半导体装置，且特别是有关于采用绝缘体上覆硅基底的半导体装置及其制造方法。

背景技术

半导体装置用于各种电子应用，例如个人电脑、手机、数位相机、和其他电子装置。通常，通过在半导体基底上依序沉积绝缘层或介电层、导电层材料、和半导体层材料，然后通过使用光微影工艺将各种不同材料层图案化，来制造半导体装置。因此，电路装置和组件形成于半导体基底上。

使用绝缘体上覆硅(silicon on insulator，SOI)基底的半导体装置具有各种潜在优点，例如快速操作、低功率损耗、高崩溃电压、抗闩锁性(latch-up immumity)、简化的制造流程、以及小尺寸等。虽然现今的绝缘体上覆硅(SOI)基底技术已大致符合需求，但并非在各方面皆令人满意。

发明内容

本发明的一些实施例提供半导体装置，此半导体装置包含绝缘体上覆硅(SOI)基底、第一主动元件和第二主动元件、以及内连线结构。绝缘体上覆硅基底包含半导体基底、半导体层、和设置于半导体基底与半导体层之间的埋藏氧化层。半导体层包含第一半导体区块和第二半导体区块，第一和第二半导体区块被设置于半导体层中的隔离结构隔开。第一主动元件和第二主动元件分别设置于第一半导体区块和第二半导体区块上。内连线结构设置于半导体层之上。内连线结构包含多个接触件、和依序排列于这些接触件之上的多层级的金属导线，以提供第一路径和第二路径。第一主动元件的源极/漏极区通过第一路径电连接至第二主动元件的栅极结构。第一半导体区块通过第二路径电连接至第二半导体区块。第二路径包含这些接触件的第一接触件，第一接触件接触第二半导体区块的上表面。

本发明的一些实施例提供半导体装置的制造方法，此方法包含提供绝缘体上覆硅基底，缘体上覆硅基底包含半导体基底、半导体层、和设置于半导体基底与半导体层之间的埋藏氧化层；在半导体层中形成隔离结构，使得半导体层被隔离结构分隔出第一半导体区块和第二半导体区块；在第一半导体区块和第二半导体区块上分别形成第一主动元件和第二主动元件；以及在半导体层之上形成内连线结构。内连线结构包含多个接触件、和依序排列于这些接触件之上的多层级的金属导线，以提供第一路径和第二路径。第一主动元件的源极/漏极区通过第一路径电连接至第二主动元件的栅极结构。第一半导体区块通过第二路径电连接至第二半导体区块。第二路径包含这些接触件的第一接触件，第一接触件接触第二半导体区块的上表面。

为让本发明的特征和优点能更明显易懂，下文特举出一些实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

附图说明

藉由以下详细描述和范例配合所附图式，可以更加理解本发明实施例。为了使图式清楚显示，图式中各个不同的元件可能未依照比例绘制，其中：

图1A-图1C是根据本发明的一些实施例的半导体装置的剖面示意图；

图2A-图2C是根据本发明的另一些实施例的半导体装置的剖面示意图；

图3A是根据本发明的一些实施例的半导体装置的上视示意图；

图3B是根据本发明的另一些实施例的半导体装置的上视示意图。

附图标记说明

100A、100B、100C、200A、200B、200C、300A、300B～半导体装置；

102～半导体基底；

104～埋藏氧化层；