[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
申请号: | 201811244242.X | 申请日: | 2018-10-24 |
公开(公告)号: | CN109712909A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 沈真宇;金炯俊 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 车今智 |
地址: | 韩国忠淸南道天安*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理空间 处理基板 门单元 门组件 基板 内衬 腔室 取回 开口 等离子体 供应工艺气体 基板处理装置 气体供应单元 等离子体源 门驱动单元 插入单元 工艺气体 基板处理 腔室外部 支承单元 支承基板 内侧壁 位置处 移动性 引入 驱动 延伸 | ||
公开了一种用于处理基板的装置,该装置包括:腔室,其具有设置在其中以处理基板的处理空间并具有用于引入或取回基板的入口;内衬,其设置在处理空间中、设置成与腔室的内侧壁相邻,并且具有形成于面对入口的位置处的、用于引入或取回基板的开口;用于在处理空间中支承基板的支承单元;用于向处理空间供应工艺气体的气体供应单元;用于从工艺气体产生等离子体的等离子体源;和用于打开或关闭入口的门组件。该门组件包括门以及用于驱动门的门驱动单元,该门包括:门单元,其设置在腔室外部以在用于打开入口的打开位置和用于关闭入口的关闭位置之间为移动性的;和插入单元,其从门单元向处理空间延伸并在关闭位置处插入到内衬的开口中。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年10月26日提交韩国工业产权局、申请号为10-2017-0139992的韩国专利申请的优先权和权益,其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文中描述的本发明构思的实施例涉及用于处理基板的装置和方法。更具体地,本文中描述的本发明构思的实施例涉及用于处理基板的装置和方法,其能够打开/关闭腔室的入口和内衬的开口。
背景技术
一般而言,半导体设备的制造工艺包括使用等离子体处理基板的各种工艺。这些工艺包括蚀刻工艺、沉积工艺和清洁工艺。
入口(entrance)和开口(opening)分别形成在腔室和内衬中,用于在执行工艺之前将基板供应至定位在腔室内的静电卡盘。此外,门组件设置成打开/关闭该入口,从而将腔室与外部隔离。然而,通常,即使通过门组件关闭入口,腔室的处理空间也不能完全从外部密封。
发明内容
本发明构思的实施例提供了一种用于处理基板的装置和方法,其能够通过使用具有门单元和插入单元的门来同时打开/关闭腔室的入口和内衬的开口。
本发明构思的技术目标不限于上述技术目标,并且通过以下描述,其他未提及的技术目标对于本领域技术人员而言将变得显而易见。
根据一示例性实施例,用于处理基板的装置包括:腔室、内衬、支承单元、气体供应单元、等离子体源、以及门组件;所述腔室具有设置在其中以处理所述基板的处理空间并具有用于引入或取回所述基板的入口;所述内衬设置在所述处理空间中,与所述腔室的内侧壁相邻,并且具有形成于面对所述入口的位置处的用于引入或取回所述基板的开口;所述支承单元在所述处理空间中支承所述基板;所述气体供应单元向所述处理空间供应工艺气体;所述等离子体源从所述工艺气体产生等离子体;所述门组件打开或关闭所述入口。所述门组件包括门以及用于驱动所述门的门驱动单元,所述门包括:门单元,其设置在所述腔室外部以在用于打开所述入口的打开位置和用于关闭所述入口的关闭位置之间为移动性的;和插入单元,所述插入单元从所述门单元向所述处理空间延伸、并在所述关闭位置处插入到所述内衬的所述开口中。
在这种情况下,所述门还可包括设置在所述门内的加热构件。
在这种情况下,所述加热构件可设置为从所述门单元延伸至所述插入单元。
进一步地,所述门可以设置成在所述关闭位置处使得所述内衬的内侧表面与所述插入单元的端面对齐成线。
在这种情况下,所述门可以包括结合构件(bonding member),所述结合构件设置在使得所述门单元在所述门处于关闭位置时与所述内衬接触的位置处。
在这种情况下,所述结合构件可以包括导电垫圈。
进一步地,当所述门处于关闭位置时,所述门的所述插入单元的暴露至所述处理空间的区域可以涂有绝缘膜。
如上所述,根据本发明构思的各实施例,通过使用所述门同时打开/关闭所述腔室的所述入口和所述内衬的所述开口,从而从外部完全密封所述腔室的所述处理空间。此外,所述内衬的整个区域可以通过传热和接地连接。
附图说明
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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