[发明专利]气体分布板及包括其的等离子体处理设备

权利要求书

1.一种等离子体处理设备，所述等离子体处理设备包括：

支撑件，被构造为接收基底；

气体分布板，包括面对所述支撑件的多个喷嘴；

主分流器，连接到所述气体分布板，并被构造为供应处理气体；以及

附加分流器，连接到所述气体分布板，并被构造为选择性地供应用于增加所述处理气体的等离子体密度的加速气体或用于降低所述处理气体的所述等离子体密度的减速气体，

其中，所述多个喷嘴包括：

多个中心喷嘴，与所述气体分布板的中心邻近，并连接到所述主分流器；

多个外围喷嘴，与所述气体分布板的最外围部分邻近，并连接到所述主分流器；

多个中间喷嘴，连接到所述主分流器和所述附加分流器，被构造为喷射所述处理气体和所述加速气体，并与在所述气体分布板的所述中心和所述多个外围喷嘴之间的中间点邻近；

多个第一喷嘴，位于所述多个中心喷嘴与所述多个中间喷嘴之间，并连接到所述主分流器；以及

多个第二喷嘴，位于所述多个中间喷嘴与所述多个外围喷嘴之间，并连接到所述主分流器。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述加速气体的电离能低于20eV。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述加速气体包括氩、氪、氙或它们的组合。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中：

所述多个中心喷嘴、所述多个第一喷嘴、所述多个第二喷嘴和所述多个外围喷嘴中的每个喷嘴包括一个或更多个第一子喷嘴；并且

所述多个中间喷嘴中的每个喷嘴包括一个或多个第二子喷嘴，

其中，所述第二子喷嘴的直径大于所述第一子喷嘴的直径。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述多个喷嘴中的每个喷嘴包括一个或更多个子喷嘴，

其中，在所述多个中间喷嘴中的每个喷嘴中包括的子喷嘴的数目大于在所述多个中心喷嘴、所述多个第一喷嘴、所述多个第二喷嘴和所述多个外围喷嘴中的每个喷嘴中包括的子喷嘴的数目。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，

其中，所述多个中心喷嘴还连接到所述附加分流器，并且

其中，所述多个中心喷嘴被构造为喷射所述处理气体和所述减速气体。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理设备，其中，所述减速气体的电离能大于或等于20eV。

8.根据权利要求6所述的等离子体处理设备，其中，所述减速气体包括氦、氖或它们的组合。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述多个喷嘴还包括：

多个第三喷嘴，位于所述多个第一喷嘴与所述多个中间喷嘴之间；

多个第四喷嘴，位于所述多个第二喷嘴与所述多个外围喷嘴之间；以及

多个第五喷嘴，位于所述多个第四喷嘴与所述多个外围喷嘴之间。

10.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，

其中，所述气体分布板还包括连接到所述多个喷嘴的多个贮存器，

其中，所述多个贮存器中的每个贮存器连接到所述主分流器，并且

其中，所述多个贮存器包括：

中心贮存器，连接到所述主分流器，并连接到所述多个中心喷嘴；

外围贮存器，连接到所述主分流器，并连接到所述多个外围喷嘴；

中间贮存器，连接到所述主分流器和所述附加分流器，并连接到所述多个中间喷嘴；

第一贮存器，连接到所述主分流器，并连接到所述多个第一喷嘴；以及

第二贮存器，连接到所述主分流器，并连接到所述多个第二喷嘴。

11.根据权利要求10所述的等离子体处理设备，其中，所述中心贮存器还连接到所述附加分流器。