[发明专利]气体分布板及包括其的等离子体处理设备

说明书

提供了一种气体分布板和一种包括该气体分布板的等离子体处理设备。所述等离子体处理设备可以包括：支撑件，被构造为接收基底；气体分布板(GDP)，包括面对支撑件的多个喷嘴；主分流器，被构造为供应处理气体；以及附加分流器，被构造为供应加速气体或减速气体。多个喷嘴可以包括多个中心喷嘴、多个外围喷嘴、被构造为喷射处理气体和加速气体的多个中间喷嘴、多个第一喷嘴和多个第二喷嘴。

本申请要求于2018年3月29日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2018-0036241号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用其全部而包含于此。

技术领域

本发明构思的实施例涉及包括气体分布板的等离子体处理设备及其操作方法。

背景技术

等离子体处理设备可以用在半导体制造工艺中。随着半导体器件的集成度增加，图案的纵横比会逐渐增加。为了形成具有高纵横比的图案，构造的等离子体处理设备可以有助于提供具有均匀等离子体密度的处理气体。

发明内容

发明构思的一些实施例针对提供能够均匀地控制等离子体密度的等离子体处理设备。

发明构思的一些实施例针对提供操作能够均匀地控制等离子体密度的等离子体处理设备的方法。

根据一些实施例，一种等离子体处理设备可以包括：支撑件，被构造为接收基底；气体分布板(GDP)，包括面对支撑件的多个喷嘴；主分流器，连接到GDP，并被构造为供应处理气体；以及附加分流器，连接到GDP，并被构造为选择性地供应用于增加处理气体的等离子体密度的加速气体或用于降低处理气体的等离子体密度的减速气体。多个喷嘴可以包括：多个中心喷嘴，与GDP的中心邻近，并连接到主分流器；多个外围喷嘴，与GDP的最外围部分邻近，并连接到主分流器；多个中间喷嘴，连接到主分流器和附加分流器，被构造为喷射处理气体和加速气体，并与在GDP的中心和多个外围喷嘴之间的中间点邻近；多个第一喷嘴，位于多个中心喷嘴与多个中间喷嘴之间，并连接到主分流器；以及多个第二喷嘴，位于多个中间喷嘴与多个外围喷嘴之间，并连接到主分流器。

根据一些实施例，一种等离子体处理设备可以包括：支撑件，被构造为接收基底；气体分布板(GDP)，包括面对支撑件的多个喷嘴；主分流器，连接到GDP，并被构造为供应处理气体；以及附加分流器，连接到GDP，并被构造为选择性地供应用于增加处理气体的等离子体密度的加速气体或用于降低处理气体的等离子体密度的减速气体。多个喷嘴可以包括：多个中心喷嘴，与GDP的中心邻近，连接到主分流器和附加分流器，并被构造为喷射处理气体和减速气体；多个外围喷嘴，与GDP的最外围部分邻近，并连接到主分流器；多个中间喷嘴，与在GDP的中心和多个外围喷嘴之间的中间点邻近；多个第一喷嘴，位于多个中心喷嘴与多个中间喷嘴之间，并连接到主分流器；以及多个第二喷嘴，位于多个中间喷嘴与多个外围喷嘴之间，并连接到主分流器。

根据一些实施例，一种GDP可以包括与气体分布板的中心邻近的多个中心喷嘴。多个中心喷嘴可以被构造为从主分流器接收处理气体，并被构造为从附加分流器接收用于降低处理气体的等离子体密度的减速气体。GDP可以包括多个外围喷嘴，多个外围喷嘴与气体分布板的外围边界邻近并被构造为从主分流器接收处理气体。GDP可以包括位于多个中心喷嘴与多个外围喷嘴之间的多个中间喷嘴。多个中间喷嘴可以被构造为从主分流器接收处理气体，并被构造为从附加分流器接收用于增加处理气体的等离子体密度的加速气体。GDP可以包括：多个第一喷嘴，位于多个中心喷嘴与多个中间喷嘴之间，并被构造为从主分流器接收处理气体；以及多个第二喷嘴，位于多个中间喷嘴与多个外围喷嘴之间，并被构造为从主分流器接收处理气体。多个中间喷嘴中的每个喷嘴的有效直径可以大于多个中心喷嘴、多个第一喷嘴、多个第二喷嘴和多个外围喷嘴中的每个喷嘴的有效直径。

附图说明

图1是示意性示出根据发明构思的一些实施例的等离子体处理设备的框图。