[发明专利]半导体功率器件的并行测试设备

权利要求书

1.半导体功率器件的并行测试设备，其用于并行地测量整条引线框架上的半导体功率器件的电性参数，其包括测试头(100)、连接电缆(200)、和测试电脑(400)，其中，借助于所述连接电缆(200)，所述测试头(100)能够与所述测试电脑(400)通讯连接；

其特征在于：

所述测试头(100)包括接触电路板(101)、主控电路板(102)、TIB测试资源接口板(103)、可编程负载加载板(104)、和探针接触装置(105)；

所述接触电路板(101)与所述主控电路板(102)及所述TIB测试资源接口板(103)通讯连接；

所述接触电路板(101)借助于所述探针接触装置(105)能够按接触方式连接半导体功率器件；所述探针接触装置(105)包括多个探针(1051)组成的探针(1051)阵列，所述探针(1051)之间的间隔尺寸与所述引线框架上的封装单元的芯片引脚之间的间隔尺寸在横向和纵向上相匹配；

所述测试头(100)的所述主控电路板(102)能够通过编程设计控制所述可编程负载加载板(104)，动态地分配测试资源，按乒乓测试模式并行地测试半导体功率器件；

所述乒乓测试模式具体为：将已建立测试回路的测试站分成两组：A组测试站和B组测试站，当所述A组测试站处于待测试状态，所述测试头(100)对在所述A组测试站上的半导体功率器件进行并行测试；在完成A组测试后，通过开关控制位按乒乓测试模式控制所述B组测试站处于待测试状态，所述测试头(100)对在所述B组测试站上的半导体功率器件进行并行测试。

2.根据权利要求1所述的半导体功率器件的并行测试设备，其特征在于：并行测试设备还包括大功率电压电流源(300)。

3.根据权利要求2所述的半导体功率器件的并行测试设备，其特征在于：所述连接电缆(200)包括与所述测试电脑(400)连接的通讯电缆、与所述大功率电压电流源(300)连接的功率电缆、和与所述测试头(100)连接的控制电缆。

4.根据权利要求1所述的半导体功率器件的并行测试设备，其特征在于：

半导体功率器件的并行测试设备还包括测试支架(110)和操作机台(111)，其中，所述测试支架(110)用于支承和固定所述测试头(100)，并保证所述操作机台(111)与所述测试头(100)之间的相对定位，所述操作机台(111)包括条式芯片托盘(112)。

5.根据权利要求3所述的半导体功率器件的并行测试设备，其特征在于：所述主控电路板(102)还包括DCS集成模块电路板(106)、浮动驱动板卡(107)、和开关控制模块(108)。

6.根据权利要求1所述的半导体功率器件的并行测试设备，其特征在于：所述主控电路板(102)还包括TIB板卡接口和第一连接装置，其中，

TIB板卡接口用于连接所述TIB测试资源接口板(103)，所述TIB测试资源接口板(103)包括数字通道和PPMU单元；

第一连接装置用于连接所述主控电路板(102)与数字通道、PPMU单元。

7.根据权利要求5所述的半导体功率器件的并行测试设备，其特征在于：所述开关控制模块(108)包括开关控制位，其中，所述开关控制位能够驱动微测试收发器，也能够驱动MOS半导体开关，所述微测试收发器芯片具有16个编程控制开关，所述编程控制开关能够通过单线协议框架单独地编程控制。

8.根据权利要求6所述的半导体功率器件的并行测试设备，其特征在于：所述TIB测试资源接口板(103)包括320个数字通道和64个PPMU单元。

9.根据权利要求7所述的半导体功率器件的并行测试设备，其特征在于：所述开关控制模块(108)包括240个开关控制位。