[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，具备：

上层芯片，具有第1面和上述第1面的相反侧的第2面；

第1树脂层，设置在上述上层芯片的上述第1面；

第1布线层，设置在上述第1树脂层中，与上述上层芯片电连接；

第2树脂层，设置在上述第1树脂层的表面侧，并扩展到比上述上层芯片的侧面靠外侧的芯片外区域；

第2布线层，设置在上述第2树脂层中，与上述第1布线层连接，并延伸到上述芯片外区域；

下层芯片，安装在上述第1树脂层的上述表面侧，与上述第1布线层连接；以及

封固树脂，将上述上层芯片覆盖，

上述上层芯片具有多个存储器芯片的层叠体，

上述多个存储器芯片具有第1芯片、第2芯片及第3芯片，

上述第1芯片具备：

第1半导体层，具有第1电路面和上述第1电路面的相反侧的第1背面；

第1片上布线层，设置在上述第1电路面；

第1接合金属，与上述第1片上布线层连接；以及

第1贯通电极，贯通上述第1半导体层地设置，与上述第1片上布线层连接；

上述第2芯片具有：

第2半导体层，具有与上述第1芯片的上述第1片上布线层对置的第2电路面和上述第2电路面的相反侧的第2背面；

第2片上布线层，设置在上述第2电路面；

第2接合金属，与上述第2片上布线层连接；以及

第2贯通电极，贯通上述第2半导体层地设置，与上述第2片上布线层连接；

上述第3芯片具有：

第3半导体层，具有第3电路面和位于上述第3电路面的相反侧且与上述第2芯片对置的第3背面；

第3片上布线层，设置在上述第3电路面；以及

第3贯通电极，贯通上述第3半导体层地设置，与上述第3片上布线层连接，

上述半导体装置中，

使上述第1片上布线层和上述第2片上布线层对置而使上述第1芯片的上述第1接合金属和上述第2芯片的上述第2接合金属彼此接合，

使上述第2背面和上述第3背面对置而使上述第2芯片的上述第2贯通电极和上述第3芯片的上述第3贯通电极彼此经由凸点连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述下层芯片配置在形成于上述第2树脂层的开口部。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第2树脂层将上述下层芯片覆盖。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，

还具备设置在上述第2树脂层的表面侧并与上述第2布线层连接的外部端子，

上述下层芯片与上述第1布线层之间的连接部的最小间距小于上述外部端子的最小间距。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，

上述下层芯片与上述第1布线层之间的连接部的最小间距小于上述第1布线层与上述第2布线层之间的连接部的最小间距。

6.如权利要求4或5所述的半导体装置，其中，

上述第2树脂层将上述下层芯片覆盖，

上述外部端子还设置在上述第2树脂层的将上述下层芯片覆盖的区域。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，

上述下层芯片在俯视观察时与上述第2布线层重叠。

8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其中，

上述下层芯片包括逻辑芯片。

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其中，

上述第1贯通电极与上述第1布线层连接。

10.如权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其中，

上述第1树脂层的至少外周部的一部分被上述第2树脂层覆盖。