[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法以及包括其的存储装置

说明书

提供非易失性存储器装置及其操作方法以及包括其的存储装置。非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列和控制电路。存储器单元阵列包括多个存储器块，所述多个存储器块包括分别连接到多条字线的多个存储器单元，所述多条字线垂直堆叠在基板上，所述多个存储器单元中的一些存储器单元由小于一个存储器块的子块单元选择。控制电路基于第一存储器块的多个子块中的每个子块的错误发生频率，将所述多个子块划分为至少一个坏子块和至少一个正常子块，并基于从非易失性存储器装置的外部提供的命令和地址，将不同的编程/擦除周期应用于所述至少一个坏子块和所述至少一个正常子块。所述至少一个坏子块与所述至少一个正常子块彼此相邻。

本申请要求于2017年12月22日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0177848号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

一些实施例总体涉及存储器装置，更具体地讲，涉及非易失性存储器装置、操作非易失性存储器装置的方法和包括非易失性存储器装置的存储装置。

背景技术

半导体存储器装置可以是易失性的或非易失性的。闪存装置通常是非易失性半导体存储器装置。闪存装置可用作用于信息设备(诸如，计算机、蜂窝电话、PDA、数码相机、手持PC等)的语音和图像数据存储介质。

已经研究了具有以三维堆叠的存储器单元的非易失性存储器装置，以提高非易失性存储器装置的完整性。然而，存储容量的增加可导致与现有的存储器管理策略不匹配的各种问题。

发明内容

根据一些实施例，一种非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列和控制电路。存储器单元阵列包括多个存储器块，所述多个存储器块中的每个存储器块包括分别连接到多条字线的多个存储器单元，所述多条字线垂直堆叠在基板上，所述多个存储器单元中的一些存储器单元由小于一个存储器块的子块单元选择。控制电路基于所述多个存储器块中的第一存储器块的多个子块中的每个子块的错误发生频率，将第一存储器块的所述多个子块划分为至少一个坏子块和至少一个正常子块，并基于从非易失性存储器装置的外部提供的命令和地址，将不同的编程/擦除周期应用于所述至少一个坏子块和所述至少一个正常子块。所述至少一个坏子块与所述至少一个正常子块相邻。

根据一些实施例，一种非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器块，所述多个存储器块中的每个存储器块包括分别连接到多条字线的多个存储器单元，所述多条字线垂直堆叠在基板上，所述多个存储器单元中的一些存储器单元由小于一个存储器块的子块单元选择。一种操作非易失性存储器装置的方法中，基于所述多个存储器块中的第一存储器块的多个子块中的每个子块的错误发生频率，将第一存储器块的所述多个子块划分为至少一个坏子块和至少一个正常子块，所述至少一个坏子块和所述至少一个正常子块彼此相邻。基于从外部提供的命令和地址，不同的编程/擦除周期被应用于所述至少一个坏子块和所述至少一个正常子块。

根据一些实施例，一种存储装置，包括：至少一个非易失性存储器装置；存储器控制器，控制所述至少一个非易失性存储器装置。所述至少一个非易失性存储器装置包括存储器单元阵列和控制电路。存储器单元阵列包括多个存储器块，所述多个存储器块中的每个存储器块包括分别连接到多条字线的多个存储器单元，所述多条字线垂直堆叠在基板上，所述多个存储器单元中的一些存储器单元由小于一个存储器块的子块单元选择。控制电路基于从存储器控制器提供的命令和地址来控制对存储器单元阵列的访问。存储器控制器向所述至少一个非易失性存储器装置发送与包括在所述多个存储器块中的每个存储器块中的坏子块相关联的坏子块信息。控制电路基于所述多个存储器块中的第一存储器块的多个子块中的每个子块的错误发生频率，将第一存储器块的所述多个子块划分为至少一个坏子块和至少一个正常子块，并在对第一存储器块的存储器操作期间，将不同的编程/擦除周期应用于所述至少一个坏子块和所述至少一个正常子块。所述至少一个坏子块和所述至少一个正常子块相邻。