[发明专利]高压二极管引脚二次镀银工艺在审
申请号: | 201811249189.2 | 申请日: | 2018-10-25 |
公开(公告)号: | CN109390238A | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 陈许平 | 申请(专利权)人: | 南通皋鑫电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人: | 孙腾 |
地址: | 226500 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高压二极管 二次镀银 润湿 表面镀银 高温固化 塑封 引脚 半成品 色泽光亮 盐酸处理 易焊性 烘干 清洗 抽样 测试 | ||
1.一种高压二极管引脚二次镀银工艺,其特征在于,对表面镀银、塑封并高温固化的半成品高压二极管进行二次镀银,它包括如下步骤;
(1)盐酸处理
将半成品高压二极管,按每批分两篓,较整齐地放入塑料篓中,将装有半成品的塑料篓轻放入盐酸液处理槽中,一次一篓,用镊子稍微翻动产品,并根据产品引线表面状况处理45s电60s,处理结束后,将塑料篓取出放溢水的纯水槽中冲洗一下,然后移至溢水的自来水槽中冲洗干净,再移至溢水的纯水槽中冲洗干净后取出,将塑料篓静置,滤水15min以上,待电镀;盐酸液处理槽内为盐酸处理液;
(2)二次镀银
将盐酸处理后的半成品高压二极管,连塑料篓一起挂入电镀槽中铜棒电极的负极上并浸入电镀液中,银板电极为正极,在两极板间加上电压,使电流表电流读数至规定值,电镀过程中间隔10min将塑料篓提起,不要露出液面,用镊子轻轻拔翻产品后,仍挂在铜棒电极上,电镀时间为60min;
(3)清洗
电镀结束后,将电压电流表调为零,然后,将塑料篓提出液面,倾斜,待无电镀液滴落时,将塑料篓移至第一水洗槽中浸洗,再将塑料篓移至第二水冼槽中浸、冲洗2电3次,然后将塑料篓中半成品转移至塑料盆中,继续用自来水冲、转洗5遍以上,再将塑料盆移至第三水洗槽,用纯水冲、转洗3遍以上即可;第一水洗槽、第二水冼槽、第三水洗槽内均为纯水,每半月更换一次;
(4)烘干
将电镀清冼后的半成品高压二极管,转移至搪瓷盘中,放进烘箱,开启烘箱电源,调节温度设置旋钮,使烘箱升温至30±10℃,恒温烘焙90±10min后,切断加热开关,待冷却至50℃以下;
(5)抹直
将烘干半成品转移至塑抹周转箱中,抹直,完成半成品高压二极管的二次镀银。
2.根据权利要求1所述的一种高压二极管引脚二次镀银工艺,其特征在于,在步骤(1)中所述的盐酸处理液的制备方法:用量杯取盐酸4L,缓慢倒入处理槽中,再用量杯取纯水12L,倒入处理槽中,搅拌,完成盐酸处理液的制备。
3.根据权利要求1所述的一种高压二极管引脚二次镀银工艺,其特征在于,在步骤(2)所述的电镀液的制备方法:电镀液的配制比例:氰化钾∶氯化银∶水=30Kg∶18Kg∶300L;用量筒按比例取需配量的纯水倒入镀槽中;按比例称取需要量的氰化钾加入镀槽纯水中,待其充分溶解;将按比例需要量配制的氯化银加入镀槽氰化钾溶液中,待其充分溶解,完成电镀液的制备;
所述的氯化银的制备方法:
用量杯取纯水分别倒入两溶解槽中,然后分别将硝酸银和氯化钠缓慢加入各槽中,硝酸银溶液的配制比例:硝酸银∶纯水=1Kg∶2.5L;氯化钠溶液的配制比例:氯化钠∶纯水=1Kg∶5L;)边加边用塑料棒搅动,使其充分溶解;
然后将氯化钠溶液缓慢加入硝酸银溶液中,边加边用塑料棒搅动,使其充分反应,约6h以上,反应后的白色沉淀物即为氯化银;
最后,将表面溶液滤去,再用纯水滤洗15遍以上,即获配液用的氯化银;
特别注意:配制时须在暗处操作,避免光线照射。
4.根据权利要求1所述的一种高压二极管引脚二次镀银工艺,其特征在于,在步骤(3)中电镀后的半成品高压二极管增重应在15~20g/批。
5.根据权利要求1所述的一种高压二极管引脚二次镀银工艺,其特征在于,在步骤(3)中规定值根据高压二极管的管体型号设定;54\58型管体为13A,52\53型管体为15A。
6.根据权利要求2所述的一种高压二极管引脚二次镀银工艺,其特征在于,所述的盐酸为化学纯含量33%的盐酸;纯水为电阻率>10MΩ.cm的纯水。
7.根据权利要求3所述的一种高压二极管引脚二次镀银工艺,其特征在于,所述的氰化钾为含量98%的氰化钾,硝酸银为分析纯含量≥99.8%硝酸银,氯化钠为化学纯氯化钠。
8.根据权利要求(1)中所述的一种高压二极管引脚二次镀银工艺,其特征在于,所述的电镀液的检验与补充:
定期化验电镀液,测定氰化钾和氯化银含量,标准:氯化银>50g/L;氰化钾>70g/L;
每半年过滤一次电镀液,将电镀液移至备用槽中,加入适量活性炭,用滤纸过滤,去除杂质。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造