[发明专利]高压二极管引脚二次镀银工艺在审
申请号: | 201811249189.2 | 申请日: | 2018-10-25 |
公开(公告)号: | CN109390238A | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 陈许平 | 申请(专利权)人: | 南通皋鑫电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人: | 孙腾 |
地址: | 226500 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 高压二极管 二次镀银 润湿 表面镀银 高温固化 塑封 引脚 半成品 色泽光亮 盐酸处理 易焊性 烘干 清洗 抽样 测试 | ||
本发明涉及一种高压二极管引脚二次镀银工艺,对表面镀银、塑封并高温固化的半成品高压二极管进行二次镀银,它包括如下步骤;(1)盐酸处理;(2)二次镀银;(3)清洗;(4)烘干;(5)抹直。构思巧妙,设计合理,通过对表面镀银、塑封并高温固化的半成品高压二极管进行二次镀银,高压二极管引线色泽光亮,易焊性抽样10只测试润湿力,相对润湿力均大于70%。
技术领域
本发明涉及高压二极管产品引线镀银工艺技术,具体涉及一种高压二极管引脚二次镀银工艺。
背景技术
高压二极管使用电极引线材质为无氧铜材表面镀银,塑封后要进行高温固化,经过高温固化后原有镀层轻度氧化,色泽发暗,易焊性下降,相对润湿力低。相对润湿力国家标准大于35%。
发明内容
为解决上述问题,本发明提出一种高压二极管引脚二次镀银工艺,构思巧妙,设计合理,通过对表面镀银、塑封并高温固化的半成品高压二极管进行二次镀银,高压二极管引线色泽光亮,易焊性抽样10只测试润湿力,相对润湿力均大于70%。
本发明的技术方案:
一种高压二极管引脚二次镀银工艺,对表面镀银、塑封并高温固化的半成品高压二极管进行二次镀银,它包括如下步骤。
(1)盐酸处理
将半成品高压二极管,按每批分两篓,较整齐地放入塑料篓中,将装有半成品的塑料篓轻放入盐酸液处理槽中,一次一篓,用镊子稍微翻动产品,并根据产品引线表面状况处理45s电60s,处理结束后,将塑料篓取出放溢水的纯水槽中冲洗一下,然后移至溢水的自来水槽中冲洗干净,再移至溢水的纯水槽中冲洗干净后取出,将塑料篓静置,滤水15min以上,待电镀;盐酸液处理槽内为盐酸处理液。
(2)二次镀银
将盐酸处理后的半成品高压二极管,连塑料篓一起挂入电镀槽中铜棒电极的负极上并浸入电镀液中,银板电极为正极,在两极板间加上电压,使电流表电流读数至规定值,电镀过程中间隔10min将塑料篓提起,不要露出液面,用镊子轻轻拔翻产品后,仍挂在铜棒电极上,电镀时间为60min。
(3)清洗
电镀结束后,将电压电流表调为零,然后,将塑料篓提出液面,倾斜,待无电镀液滴落时,将塑料篓移至第一水洗槽中浸洗,再将塑料篓移至第二水冼槽中浸、冲洗2电3次,然后将塑料篓中半成品转移至塑料盆中,继续用自来水冲、转洗5遍以上,再将塑料盆移至第三水洗槽,用纯水冲、转洗3遍以上即可;第一水洗槽、第二水冼槽、第三水洗槽内均为纯水,每半月更换一次。
(4)烘干
将电镀清冼后的半成品高压二极管,转移至搪瓷盘中,放进烘箱,开启烘箱电源,调节温度设置旋钮,使烘箱升温至30±10℃,恒温烘焙90±10min后,切断加热开关,待冷却至50℃以下。
(5)抹直
将烘干半成品转移至塑抹周转箱中,抹直,完成半成品高压二极管的二次镀银。
对上述技术方案作进一步的改进和细化,在步骤(1)中所述的盐酸处理液的制备方法:用量杯取盐酸4L,缓慢倒入处理槽中,再用量杯取纯水12L,倒入处理槽中,搅拌,完成盐酸处理液的制备。
对上述技术方案作进一步的改进和细化,在步骤(2)所述的电镀液的制备方法:电镀液的配制比例:氰化钾∶氯化银∶水=30Kg∶18Kg∶300L;用量筒按比例取需配量的纯水倒入镀槽中;按比例称取需要量的氰化钾加入镀槽纯水中,待其充分溶解;将按比例需要量配制的氯化银加入镀槽氰化钾溶液中,待其充分溶解,完成电镀液的制备。
所述的氯化银的制备方法:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通皋鑫电子股份有限公司,未经南通皋鑫电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811249189.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:侧面可焊接无引线封装
- 下一篇:半导体封装件的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造