[发明专利]灯珠加工用旋转盘式反应室

说明书

本发明公开了一种灯珠加工用旋转盘式反应室，包括反应室主体，所述反应室主体外上端中部固定设置有进气管，所述进气管中央固定设置有隔流板，所述隔流板延伸至反应室主体内并且所述隔流板底端固定连接有气流板，所述反应室内壁上固定设置有延伸板，所述水平板与延伸板之间形成水平通道，所述水平通道一端在反应室主体内上部中央固定设置有集气槽，所述集气槽下端设有开口。本发明通过设置球形反应室主体与合适的气流通道，并在气流通道上设置电磁阀，使反应气可以在电磁阀的调节下与衬底基片均匀接触，使反应生成的外延片质地优良，具有更好的生产效果。

技术领域

本发明涉及LED生产过程中气相外延生长技术领域，具体为一种灯珠加工用旋转盘式反应室。

背景技术

LED生产过程中极为重要的步骤是利用MOCVD技术生产外延片，MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和Ⅴ、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压下通H2的冷壁石英或不锈钢反应室中进行，衬底温度为500-1200℃,用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),氢气通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。

MOCVD技术在生产LED灯等以外延片为原材料的产品过程中起重要作用，但是目前的MOCVD反应室普遍存在反应气体与晶圆片之间接触的均匀性较差，导致生产出来的膜片质地不均，少数旋转盘式反应室通过设置多个反应气体进口使反应气与衬底均匀接触，这样不仅结构复杂而且实际操作时发现仍难以使每个进气口的反应气与衬底均匀接触。

发明内容

本发明的目的在于提供一种灯珠加工用旋转盘式反应室，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种灯珠加工用旋转盘式反应室，包括反应室主体，所述反应室主体外上端中部固定设置有进气管，所述进气管中央固定设置有隔流板，所述隔流板延伸至反应室主体内并且所述隔流板底端固定连接有气流板，所述气流板包括弧形板与水平板，所述弧形板与反应室内壁之间形成弧形通道，所述反应室内壁上固定设置有延伸板，所述水平板与延伸板之间形成水平通道，所述水平通道一端在反应室主体内上部中央固定设置有集气槽，所述集气槽下端设有开口，所述反应室主体中部底端外设置有电机，所述电机的输出端通过联轴器连接有磁流体旋转轴，所述磁流体旋转轴一端固定连接有旋转基座，所述旋转基座下方设置有加热器，所述旋转基座上端面固定设置有衬底基片，所述反应室主体一侧的下方固定设置有排气管。

优选的，所述反应室主体为球形腔体，所述反应室主体的直径为20cm-200cm。

优选的，所述弧形通道与水平通道数量至少为两组，所述水平通道上设置有电磁阀。

优选的，所述集气槽顶端内壁中部通过支撑杆固定设置有微风扇。

优选的，所述集气槽开口的中心与所述衬底基片的中心位置位于同一竖直线上，所述开口与所述衬底基片的距离为5cm－20cm。

优选的，所述衬底基片上开有若干晶圆槽,所述晶圆槽的直径为0.5cm-5cm。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

1、本发明通过在反应室主体上的进气管中间设置隔流板，并使隔流板延伸至反应室主体内与气流板连接，气流板与反应室主体之间形成弧形通道与水平通道用于导流，并在水平通道上设置电磁阀，在水平通道尾端设置集气槽，将衬底基片设置于集气槽正下方，工作时反应气分别从进气口的两个入口进入弧形通道与水平通道，反应气被导入集气槽后以竖直方向的速度流向衬底基片，通过调节电磁阀来控制两边气体的流速，使衬底基片上所接触的反应气较为一致。