[发明专利]半导体器件结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：

衬底；

器件区域，位于所述衬底上，包含若干晶体管器件，所述晶体管器件具有栅极；

栅极环结构，位于所述器件区域外围，且从内到外依次套设第一栅极环、第二栅极环和第三栅极环中的一个或多个栅极环。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一栅极环的宽度是所述器件区域内的所述栅极的最小宽度的2-3倍，所述第二栅极环的宽度是所述器件区域内的所述栅极的最小宽度的3-5倍，所述第三栅极环的宽度是所述器件区域内的所述栅极的最小宽度的3-5倍，且所述第二栅极环的宽度小于或等于所述第三栅极环的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述器件区域外围套设两个以上所述栅极环时，相邻所述栅极环的间距是所述器件区域中相邻所述晶体管器件的所述栅极的最小间距的2-5倍。

4.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，套设的所述栅极环是具有同一几何中心的相似图形。

5.根据权利要求4所述的半导体器件结构，其特征在于，所述相似图形是矩形。

6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包含若干器件区域，相邻所述器件区域共用栅极环结构。

7.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，还包括位于所述栅极环结构外侧的若干矩形块状虚设图案结构。

8.一种半导体器件结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成器件区域，所述器件区域包含若干晶体管器件，所述晶体管器件具有栅极；

在所述器件区域外围从内到外依次套设第一栅极环、第二栅极环和第三栅极环中的一个或多个栅极环，从而构成栅极环结构。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一栅极环的宽度是所述器件区域内的所述栅极的最小宽度的2-3倍，所述第二栅极环的宽度是所述器件区域内的所述栅极的最小宽度的3-5倍，所述第三栅极环的宽度是所述器件区域内的所述栅极的最小宽度的3-5倍，且所述第二栅极环的宽度小于或等于所述第三栅极环的宽度。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述器件区域外围套设两个以上栅极环时，相邻所述栅极环的间距是所述器件区域中相邻所述晶体管器件的所述栅极的最小间距的2-5倍。

11.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，还包括在所述栅极环结构外侧还设置有矩形块状虚设图案结构。

12.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述栅极、所述栅极环结构和所述矩形块状虚设图案结构使用相同的工艺步骤同步形成，所述工艺步骤包括薄膜生长、研磨、光刻和刻蚀。