[发明专利]具有重新对准的特征布局的鳍基二极管结构

权利要求书

1.一种使用衬底形成的装置结构，该装置结构包含：

第一栅极结构；

第二栅极结构，与该第一栅极结构平行地配置；

第一鳍片与第二鳍片，各自从该衬底的顶面垂直地伸出，该第一鳍片及该第二鳍片配置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间；以及

第一接触结构，与该第一鳍片及该第二鳍片耦合，其中，该第一接触结构横向配置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间，且该第一接触结构的第一部分与该第一栅极结构接触，以及该第一接触结构的第二部分与该第二栅极结构接触。

2.如权利要求1所述的装置结构，进一步包含：

浅沟槽隔离区，包围该第一鳍片及该第二鳍片，

其中，该第一栅极结构及该第二栅极结构配置在该浅沟槽隔离区的顶面上。

3.如权利要求2所述的装置结构，其中，该第一鳍片及该第二鳍片相对于该浅沟槽隔离区的该顶面具有第一高度，该第一栅极结构及该第二栅极结构相对于该浅沟槽隔离区的该顶面具有第二高度，且该第二高度大于该第一高度。

4.如权利要求3所述的装置结构，其中，该第一接触结构在该浅沟槽隔离区的该顶面之上隔开。

5.如权利要求1所述的装置结构，进一步包含：

共形介电层，在该第一栅极结构上及在该第二栅极结构上，

其中，该第一接触结构的该第一部分与该共形介电层在该第一栅极结构上的第一区段直接接触，以及该第一接触结构的该第二部分与该共形介电层在该第二栅极结构上的第二区段直接接触。

6.如权利要求1所述的装置结构，其中，该第一鳍片与该第二鳍片具有导电类型，且进一步包含：

井，在该衬底中低于该第一鳍片及该第二鳍片，该井具有该第一鳍片及该第二鳍片的该导电类型。

7.如权利要求1所述的装置结构，其中，该第一鳍片及该第二鳍片各具有属于第一导电类型的第一区段，且进一步包含：

井，在该衬底中低于该第一鳍片及该第二鳍片，该井具有与该第一导电类型相反的第二导电类型。

8.如权利要求7所述的装置结构，其中，该第一鳍片具有属于该第二导电类型的第二区段，该第一鳍片的该第二区段垂直配置在该第一鳍片的该第一区段与该井之间，该第二鳍片具有属于该第二导电类型的第二区段，该第二鳍片的该第二区段垂直配置在该第二鳍片的该第一区段与该第二鳍片的该第二区段之间，该第一鳍片的该第一区段与该第一鳍片的该第二区段参与二极管结的形成，且该第二鳍片的该第一区段与该第二鳍片的该第二区段进一步参与该二极管结的形成。

9.如权利要求8所述的装置结构，进一步包含：

浅沟槽隔离区，包围该第一鳍片及该第二鳍片，

其中，该浅沟槽隔离区具有顶面，且该第一鳍片的该第二区段与该第二鳍片的该第二区段配置在该浅沟槽隔离区的该顶面下面。

10.如权利要求9所述的装置结构，其中，该第一栅极结构与该第二栅极结构位在该浅沟槽隔离区的该顶面上。

11.如权利要求8所述的装置结构，进一步包含：

第三栅极结构；

第四栅极结构，与该第三栅极结构平行地配置；

第三鳍片与第四鳍片，各自从该衬底垂直地伸出，该第三鳍片与该第四鳍片配置在该第三栅极结构与该第四栅极结构之间；以及

第二接触结构，与该第一鳍片及该第二鳍片耦合，

其中，该第二接触结构横向配置在该第三栅极结构与该第四栅极结构之间，且该第二接触结构具有该第二导电类型。

12.如权利要求11所述的装置结构，其中，该井在该第三鳍片及该第四鳍片下面延伸，且该第三鳍片与该第四鳍片具有该第二导电类型。