[发明专利]具有重新对准的特征布局的鳍基二极管结构

说明书

本发明涉及具有重新对准的特征布局的鳍基二极管结构，揭示数种二极管结构及制造二极管结构的方法。第一及第二栅极结构经形成为该第二栅极结构与该第一栅极结构平行地配置。形成从衬底的顶面垂直地伸出的第一及第二鳍片。第一及第二鳍片配置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间。接触结构与该第一鳍片及该第二鳍片耦合。该接触结构横向配置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间。

技术领域

本发明是有关于半导体装置制造与集成电路，且更特别的是，有关于二极管结构与用于制造二极管结构的方法。

背景技术

例如二极管的被动装置常被包括在集成电路结构中，且常在例如鳍片型场效应晶体管(FinFET)的其他电路结构组件的制造期间制造。随着集成电路结构大小及特征持续缩减，对于节省晶圆空间且在较小的晶圆空间内包括更多个装置来说，二极管结构的新布局设计变得很重要。

发明内容

在本发明的一具体实施例中，一种装置结构，其包括第一栅极结构，与该第一栅极结构平行地配置的第二栅极结构，以及各自从衬底的顶面垂直地伸出的第一鳍片及第二鳍片。该第一及第二鳍片配置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间。该装置结构进一步包括与该第一鳍片及该第二鳍片耦合的接触结构。该接触结构横向配置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间。

在本发明的一具体实施例中，一种方法，其包括：形成各自从衬底的顶面垂直地伸出的第一及第二鳍片，沉积栅极材料层于该衬底上方，图案化该栅极材料层以形成第一栅极结构及与该第一栅极结构平行地配置的第二栅极结构，且在图案化该栅极材料层后，从该第一鳍片及该第二鳍片外延成长半导体材料。该第一鳍片及该第二鳍片配置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间。该半导体材料横向配置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间。

附图说明

并入且构成本专利说明书的一部分的附图是图示本发明的各种具体实施例，且与以上给出的“发明内容”和以下给出的“具体实施方式”一起用来解释本发明的具体实施例。

图1至图12的横截面图根据本发明的具体实施例图示在加工方法的相继制造阶段的结构。

图7A为结构的上视图，图7大体沿着其中的直线7-7绘出。

具体实施方式

参考图1且根据本发明的具体实施例，图示结构100包括有掺杂井106及半导体层107的衬底105。例如，通过植入掺杂物于结构100的半导体晶圆或层中，可形成掺杂井106。在一具体实施例中，掺杂井106可为掺杂n型掺杂物的n型井。半导体层107可形成于掺杂井106上，例如，经由从掺杂井106的顶面外延成长半导体材料，例如本质或掺杂硅。结构100也包括设置在半导体层107上方的一或多个垫介电层(pad dielectric layer)108、109。垫介电层108例如可由氧化物材料(例如，二氧化硅)构成，且垫介电层109例如可由氮化物材料(例如，氮化硅)构成。

参考图2，其中与图1类似的元件用相同附图标记表示，且在加工方法的后续制造阶段，形成鳍片结构110，其包括从衬底105突出且向上延伸的鳍片111、112、113。形成另一鳍片结构120，其包括从衬底105突出且向上延伸的鳍片121、122、123。鳍片结构110有外侧鳍片111与外侧鳍片112，且可具有在外侧鳍片111、112之间的一或多个内部鳍片113。同样，鳍片结构120有外侧鳍片121、外侧鳍片122，且可具有在外侧鳍片121、122之间的一或多个内部鳍片123。取决于特定装置要求，在鳍片结构110或者是鳍片结构120中的鳍片数可比图示少或多。