[发明专利]一种倒装LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种倒装LED芯片，所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、反光层、绝缘层、P型电极、N型电极、N型焊盘和P型焊盘；所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底的第一表面上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的第一凹槽；所述N型电极设置在所述第一凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上，所述反光层在所述P型半导体层除所述P型电极所在区域之外的区域上；所述绝缘层铺设在所述第一凹槽内和所述反光层上，所述绝缘层上设有延伸至所述P型电极的第一通孔和延伸至所述N型电极的第二通孔；所述N型焊盘和所述P型焊盘间隔设置在所述绝缘层上，所述P型焊盘通过所述第一通孔延伸至所述P型电极，所述N型焊盘通过所述第二通孔延伸至所述N型电极；

其特征在于，所述N型焊盘和所述P型焊盘之间的绝缘层上设有向所述反光层延伸的第二凹槽，所述第二凹槽的深度小于所述绝缘层的厚度，所述第二凹槽与所述N型焊盘之间的距离不等于所述第二凹槽与所述P型焊盘之间的距离，所述第二凹槽与所述N型焊盘之间的距离、所述第二凹槽与所述P型焊盘之间的距离均大于0。

2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的第三凹槽，所述第二凹槽在所述第一表面上的投影与所述第三凹槽在所述第一表面上的投影重合，所述第二凹槽的深度等于所述第三凹槽的深度。

3.根据权利要求2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第三凹槽的深度等于所述第一凹槽的深度。

4.根据权利要求3所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第二凹槽的深度为1μm～2μm。

5.根据权利要求2～4任一项所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第二凹槽与所述N型焊盘之间的距离小于所述第二凹槽与所述P型焊盘之间的距离。

6.根据权利要求5所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第二凹槽与所述N型焊盘之间的距离为5μm～100μm。

7.根据权利要求1～4任一项所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第二凹槽的宽度为10μm～50μm。

8.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘层上设有与所述第一通孔连通的第四凹槽、以及与所述第二通孔连通的第五凹槽；所述P型焊盘设置在所述第四凹槽内，所述P型焊盘的厚度等于所述第四凹槽的深度和所述第一通孔的长度之和；所述N型焊盘设置在所述第五凹槽内，所述N型焊盘的厚度等于所述第五凹槽的深度和所述第二通孔的长度之和。

9.根据权利要求8所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第四凹槽的深度等于所述第二凹槽的深度，所述第五凹槽的深度等于所述第二凹槽的深度。

10.一种倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底的第一表面上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层；

在所述P型半导体层上开设延伸至所述N型半导体层的第一凹槽；

在所述P型半导体层上形成反光层；

在所述第一凹槽内的N型半导体层上设置N型电极，并在所述P型半导体层除所述反光层所在区域之外的区域上设置P型电极；

在所述第一凹槽内和所述反光层上形成绝缘层，所述绝缘层上设有延伸至所述P型电极的第一通孔、延伸至所述N型电极的第二通孔、以及向所述反光层延伸的第二凹槽，所述第二凹槽的深度小于所述绝缘层的厚度，所述第二凹槽位于所述第一通孔和所述第二通孔之间，且所述第二凹槽与所述第一通孔之间的距离不等于所述第二凹槽与所述第二通孔之间的距离；

在所述绝缘层上间隔设置N型焊盘和P型焊盘，所述P型焊盘通过所述第一通孔延伸至所述P型电极，所述N型焊盘通过所述第二通孔延伸至所述N型电极，所述N型焊盘与所述第二凹槽之间的距离、所述P型焊盘与所述第二凹槽之间的距离均大于0。