[发明专利]一种倒装LED芯片及其制作方法

说明书

本发明公开了一种倒装LED芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、反光层、绝缘层、P型电极、N型电极、N型焊盘和P型焊盘；所述N型焊盘和所述P型焊盘之间的绝缘层上设有向所述反光层延伸的第二凹槽，所述第二凹槽的深度小于所述绝缘层的厚度，所述第二凹槽与所述N型焊盘之间的距离不等于所述第二凹槽与所述P型焊盘之间的距离。本发明通过增设的第二凹槽可以有效避免锡膏在粘接焊盘和支架时被挤出到两个焊盘之间而导致N型焊盘和P型焊盘导通，大大提高了倒装芯片的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种倒装LED芯片及其制作方法。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管。作为一种新型发光器件，LED技术发展迅速、应用领域广泛、产业带动性强、节能潜力大，符合低碳生态经济的要求和当代新兴产业的发展趋势。与传统电气照明相比，LED照明具有节能、环保、长寿和高效等优点，被各国公认为最有发展前景的照明产业。

芯片是LED的核心组件，分为正装结构、倒装结构和垂直结构三种。与传统的正装芯片相比，倒装芯片具有高电流、可靠和使用简便等优点，目前已得到大规模应用。

现有的倒装芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、反光层、绝缘层、P型电极、N型电极、N型焊盘和P型焊盘。N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽。反光层铺设在P型半导体层上，且反光层上设有延伸至P型半导体层的通孔。P型电极设置在反光层上，并通过通孔延伸至P型半导体层；N型电极设置在凹槽内的N型半导体层上。绝缘层铺设在凹槽内除N型电极所在区域之外的区域、以及反光层上除P型电极所在区域之外的区域上。P型焊盘设置在P型电极以及P型电极周围的绝缘层上，N型焊盘设置在N型电极以及N型电极周围的绝缘层上。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

倒装芯片在封装过程中，会使用锡膏将N型焊盘和P型焊盘两个焊盘粘接在支架的指定区域，使电流能够通过支架上的引脚注入倒装芯片。由于锡膏具有一定的流动性，因此锡膏在粘接焊盘和支架时很容易被挤出到两个焊盘之间，导致N型焊盘和P型焊盘导通。

发明内容

本发明实施例提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，能够解决现有技术N型焊盘和P型焊盘导通的问题。所述技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供了一种倒装LED芯片，所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、反光层、绝缘层、P型电极、N型电极、N型焊盘和P型焊盘；所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底的第一表面上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的第一凹槽；所述N型电极设置在所述第一凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上，所述反光层在所述P型半导体层除所述P型电极所在区域之外的区域上；所述绝缘层铺设在所述第一凹槽内和所述反光层上，所述绝缘层上设有延伸至所述P型电极的第一通孔和延伸至所述N型电极的第二通孔；所述N型焊盘和所述P型焊盘间隔设置在所述绝缘层上，所述P型焊盘通过所述第一通孔延伸至所述P型电极，所述N型焊盘通过所述第二通孔延伸至所述N型电极；

所述N型焊盘和所述P型焊盘之间的绝缘层上设有向所述反光层延伸的第二凹槽，所述第二凹槽的深度小于所述绝缘层的厚度，所述第二凹槽与所述N型焊盘之间的距离不等于所述第二凹槽与所述P型焊盘之间的距离。

在本发明实施例一种可能的实现方式中，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的第三凹槽，所述第二凹槽在所述第一表面上的投影与所述第三凹槽在所述第一表面上的投影重合，所述第二凹槽的深度等于所述第三凹槽的深度。

可选地，所述第三凹槽的深度等于所述第一凹槽的深度。