[发明专利]一种清洗单晶硅片的混酸及其清洗方法在审
| 申请号： | 201811257851.9 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109560023A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 冯雨雨;朱雪明;袁林锋 | 申请（专利权）人： | 北京亦盛精密半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京东方芊悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11591 | 代理人： | 陈靳秋 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅片 混酸 清洗 浸泡 水中 去除 离子 醋酸 单晶硅片表面 清洁度要求 氧化物薄膜 金属杂质 氢氟酸 硝酸 硅片 放入 制程 冲洗 损伤 取出 | ||
1.一种清洗单晶硅片的混酸，其特征在于，所述混酸按重量份数包括以下组分：硝酸20-30份；氢氟酸5-10份；醋酸15-25份；其余为水。
2.根据权利要求1所述的一种清洗单晶硅片的混酸，其特征在于，所述混酸按重量分数包括以下组分：硝酸25份；氢氟酸8份；醋酸20份；其余为水。
3.使用权利要求1所述的一种清洗单晶硅片的混酸的清洗清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：将单晶硅片浸泡到混酸中进行浸泡；
步骤二：浸泡后取出单晶硅片放入去离子水中先冲洗，再浸泡在去离子水中。
4.根据权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤一中，单晶硅片浸泡到混酸中后，先使用超声波超生，使单晶硅片表面浸润。
5.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤一中，浸泡时间为100-300秒。
6.根据权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤一中，混酸为温度为10-40℃。
7.根据权利要求6所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤一中，混酸为温度为15-25℃。
8.根据权利要求书5所述的清洗方法，其特征在于，所述超生时间为5分钟，所述浸泡时间为200秒。
9.根据权利要求书3所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤二中，冲洗时间为3分钟，浸泡时间为5分钟。
10.根据权利要求书9所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤二中冲洗和浸泡的去离子水温为45-55℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
