[发明专利]一种清洗单晶硅片的混酸及其清洗方法

说明书

本发明公开了一种清洗单晶硅片的混酸及其清洗方法，混酸包括硝酸20‑30份；氢氟酸5‑10份；醋酸15‑25份；其余为水。清洗方法包括步骤一：将单晶硅片浸泡到混酸中进行浸泡；步骤二：浸泡后取出单晶硅片放入去离子水中先冲洗，再浸泡在去离子水中。本发明的混酸可以有效的去除单晶硅片上的金属杂质和氧化物薄膜，控制去除程度和速度，对单晶硅片表面既不会产生损伤，又能达到工艺制程对硅片的清洁度要求。

技术领域

本发明涉及半导体零件清洗技术领域，具体涉及一种清洗单晶硅片的混酸及其清洗方法。

背景技术

普通硅片电阻率都是1-5Ω-cm，低电阻率比普通电阻率的掺杂更多，导致材料性质不一样。在硅产品生产过程中，几乎每道工序都有硅片清洗的问题，硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响，处理不当就可能使全部硅片报废，硅片清洗不管是对于从硅片加工的人还是对于从事半导体器件生产的人来说都有着重要的意义，所以在半导体器件生产中，硅产品必须经严格清洗，因为微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面，而化学清洗就是为了除去原子、离子等不可见的污染。

现有技术主要针对的是砂浆切割单晶硅片的一种清洗工艺，而在对应用于半导体行业中的单晶硅片进行清洗时，该种清洗工艺刻蚀时间过长，在浸泡刻蚀的过程中很容易损伤单晶硅片的功能性，同时也会缩短它本身的使用寿命。由于该工艺中的混酸溶液清洗达不到工艺制程对硅片清洁度的要求，只能对硅片表面进行一个简单的处理，更达不到去除硅片表面损伤层的效果。

发明内容

本发明针对上述技术问题，提供一种清洗单晶硅片的混酸及其清洗方法，。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种清洗单晶硅片的混酸，混酸按重量份数包括以下组分：硝酸20-30份；氢氟酸5-10份；醋酸15-25份；其余为水。

其中，混酸按重量分数包括以下组分：硝酸25份；氢氟酸8份；醋酸20份；其余为水。

本发明还公开了一种使用上述混酸对单晶硅片进行清洗的清洗方法：

所述清洗方法包括以下步骤：

步骤一：将单晶硅片浸泡到混酸中进行浸泡；

步骤二：浸泡后取出单晶硅片放入去离子水中先冲洗，再浸泡在去离子水中。

其中，步骤一中，单晶硅片浸泡到混酸中后，先使用超声波超生，使单晶硅片表面浸润。

其中，步骤一中，浸泡时间为100-300秒。

其中，步骤一中，混酸为温度为10-40℃。

其中，步骤一中，混酸为温度为15-25℃。

其中，超生时间为5分钟，所述浸泡时间为200秒。

其中，步骤二中，冲洗时间为3分钟，浸泡时间为5分钟。

其中，步骤二中冲洗和浸泡的去离子水温为45-55℃。

本发明的有益效果是：

本发明的混酸可以有效的去除单晶硅片上的金属杂质和氧化物薄膜，控制去除程度和速度，对单晶硅片表面既不会产生损伤，又能达到工艺制程对硅片的清洁度要求。

具体实施方式

示例的实施例并不旨在穷尽根据本发明的所有实施例。可以理解，在不偏离本发明的范围的前提下，可以利用其他实施例，也可以进行结构性或者逻辑性的修改。因此，以下的具体描述并非限制性的，且本发明的范围由所附的权利要求所限定。